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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | CED1012 |
| 英文描述： | 120V N Channel MOS |
| 中文描述： | 120伏特?頻道馬鞍山 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 4/5頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 39K |
| 代理商： | CED1012 |
CED1012/CEU1012
Figure 5. Gate Threshold Variation
with Temperature
Figure 6. Breakdown Voltage Variation
with Temperature
V
G
g
F
,
V
G
,
B
D
,
D
I
Figure 7. Transconductance Variation
with Drain Current
I
DS
, Drain-Source Current (A)
Figure 9. Gate Charge
Qg, Total Gate Charge (nC)
Figure 10. Maximum Safe
Operating Area
V
DS
, Drain-Source Voltage (V)
Figure 8. Body Diode Forward Voltage
Variation with Source Current
V
SD
, Body Diode Forward Voltage (V)
Tj, Junction Temperature ( C)
Tj, Junction Temperature ( C)
I
D
,
6-5
6
10
2
4
6
8
12
0
0
5
10
15
20
V
DS
=10V
20.0
10.0
0.1
1
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
V
GS
=0V
90
10
0.5
1
1
10
120 300
V
GS
=10V
Single Pulse
Tc=25 C
R
DS
(ON Lmt
DC
10ms
1ms
100
s
10
s
15
12
9
6
3
00
8
16
24
32
40
48
56
64
V
DS
=96V
I
D
=10A
-50
-25
0
25
50
75 100 125 150
1.15
1.10
1.05
1.00
0.95
0.90
0.85
ID=250
A
1.06
1.04
1.02
1.00
0.98
0.96
0.94
0.92
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
V
DS
=V
GS
I
D
=250
A
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CEU9926 | 20V N Channel MOS |
| CED9926 | 20V N Channel MOS |
| CF1005FTA | Analog IC |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| CED12N10L | 制造商:CET 制造商全稱(chēng):Chino-Excel Technology 功能描述:N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
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