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參數(shù)資料
| 型號： | CED1012 |
| 英文描述： | 120V N Channel MOS |
| 中文描述： | 120伏特?頻道馬鞍山 |
| 文件頁數(shù)： | 3/5頁 |
| 文件大小： | 39K |
| 代理商： | CED1012 |
Parameter
Symbol
Condition
Min
Typ Max Unit
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T
C
=25 C unless otherwise noted)
DRAIN-SOURCE DIODE CHARACTERISTICS
Diode Forward Voltage
V
SD
V
GS
= 0V, Is = 10A
1.2
V
a
Notes
a.Pulse Test:PulseWidth 300
s, Duty Cycle 2%.
b.Guaranteed by design, not subject to production testing.
Figure 1. Output Characteristics
Figure 2. Transfer Characteristics
Figure 4. On-Resistance Variation with
Drain Current and Temperature
Figure 3. Capacitance
V
DS
, Drain-to Source Voltage (V)
V
GS
, Gate-to-Source Voltage (V)
V
DS
, Drain-to-Source Voltage (V)
I
D
, Drain Current(A)
C
D
I
D
,
I
D
,
6-4
6
25 C
-55 C
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0
0
5
10
15
20
25
V
GS
=10V
Tj=125 C
R
D
,
CED1012/CEU1012
Ciss
Coss
Crss
1200
1000
800
600
400
200
0
0
10
20
30
40
50
0.85
12
10
8
6
4
2
00
1
2
3
4
5
6
V
GS
=10,9,8,7V
V
GS
=6V
V
GS
=5V
-55 C
25 C
125 C
20
15
10
5
04
5
6
7
8
9
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CEU9926 | 20V N Channel MOS |
| CED9926 | 20V N Channel MOS |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| CED12N10L | 制造商:CET 制造商全稱:Chino-Excel Technology 功能描述:N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
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