參數(shù)資料
型號(hào)： C106D1
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 晶閘管
英文描述： Sensitive Gate Silicon Controlled Rectifier Reverse Blocking Thyristor(4A（均方根值）,400V敏感門硅控整流器反向截止晶閘管)
中文描述： 4 A, 400 V, SCR, TO-225AA
封裝： CASE 77-09, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/8頁
文件大?。?/td> 87K
代理商： C106D1
C106 Series
http://onsemi.com
3
+ Current
+ Voltage
VTM
IDRM at VDRM
IH
Symbol
VDRM
IDRM
VRRM
IRRM
VTM
IH
Parameter
Peak Repetitive Off State Forward Voltage
Peak Forward Blocking Current
Peak Repetitive Off State Reverse Voltage
Peak Reverse Blocking Current
Peak On State Voltage
Holding Current
Voltage Current Characteristic of SCR
Anode +
on state
Reverse Blocking Region
(off state)
Reverse Avalanche Region
Anode –
Forward Blocking Region
(off state)
IRRM at VRRM
DC
DC
JUNCTION TEMPERATURE
≈
110
°
C
100
10
20
30
40
70
110
90
3.6
80
0
.4
.8
1.6
1.2
2.0
2.4
3.2
60
4.0
IT(AV) AVERAGE ON-STATE CURRENT (AMPERES)
HALF SINE WAVE
RESISTIVE OR INDUCTIVE LOAD.
50 to 400 Hz
50
6
4
2
0
8
0
10
2.8
3.6
.4
.8
1.6
1.2
2.0
2.4
3.2
4.0
2.6
IT(AV) AVERAGE ON-STATE CURRENT (AMPERES)
HALF SINE WAVE
RESISTIVE OR INDUCTIVE LOAD
50 TO 400Hz.
C
°
T
P
(
Figure 1. Average Current Derating
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PDF描述
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