CSD87352Q5D

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型號(hào)
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封裝
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說明
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功能描述
MOSFET 30V Sync Buck NexFET
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶體管極性
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓
650 V
閘/源擊穿電壓
25 V
漏極連續(xù)電流
130 A
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作溫度
安裝風(fēng)格
Through Hole
封裝 / 箱體
Max247
封裝
Tube

CSD87352Q5D 技術(shù)參數(shù)

CSD87351ZQ5D 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 32A 8LSON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 N 溝道（雙）非對(duì)稱型 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:32A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:- 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:7.7nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1255pF @ 15V 功率 - 最大值:12W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerLDFN 供應(yīng)商器件封裝:8-LSON（5x6）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD87351Q5D 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 32A 8LSON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個(gè) N 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:32A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:7.6 毫歐 @ 20A，8V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:7.7nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1255pF @ 15V 功率 - 最大值:12W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerLDFN 供應(yīng)商器件封裝:8-LSON（5x6）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD87350Q5D 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 40A 8LSON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個(gè) N 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:40A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:5.9 毫歐 @ 20A，8V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:10.9nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1770pF @ 15V 功率 - 最大值:12W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerLDFN 供應(yīng)商器件封裝:8-LSON（5x6）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD87335Q3DT 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 25A 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個(gè) N 溝道（雙） FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:25A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:- 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.9V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:7.4nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1050pF @ 15V 功率 - 最大值:6W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerLDFN 供應(yīng)商器件封裝:8-LSON（3.3x3.3）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD87335Q3D 功能描述:MOSFET N-CH 30V POWERBLOCK 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 N 溝道（雙）非對(duì)稱型 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:- 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:- 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.9V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:7.4nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1050pF @ 15V 功率 - 最大值:6W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerLDFN 供應(yīng)商器件封裝:8-LSON（3.3x3.3）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD87501L CSD87501LT CSD87502Q2 CSD87502Q2T CSD87503Q3E CSD87503Q3ET CSD87588N CSD87588NEVM-603 CSD87588NT CSD88537ND CSD88537NDT CSD88539ND CSD88539NDT CSD88584Q5DC CSD88584Q5DCT CSD88599Q5DC CSD88599Q5DCT CSD95372AQ5M