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CSD88584Q5DCT

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • CSD88584Q5DCT
    CSD88584Q5DCT

    CSD88584Q5DCT

    現(xiàn)貨
  • 深圳市百潤電子有限公司
    深圳市百潤電子有限公司

    聯(lián)系人：梁

    電話：17876146278

    地址：沙頭街道下沙社區(qū)濱河路9289號下沙村京基濱河時代廣場D1棟26A

  • 187

  • TI

  • VSON-22

  • 18+

  • -

  • 全新原裝正品*海量現(xiàn)貨庫存*全網(wǎng)最低

  • CSD88584Q5DCT
    CSD88584Q5DCT

    CSD88584Q5DCT

  • 北京京華特科技有限公司
    北京京華特科技有限公司

    聯(lián)系人：張小姐/韓先生

    電話：010-86398446-8061581080972213911315253

    地址：北京市朝陽區(qū)建國門外大街9號樓603室

  • 27

  • TEXAS INSTRUMENTS

  • N/A ㊣品

  • N/A 原裝進口

  • -

  • 渠道可追溯現(xiàn)貨庫存F

  • 1/1頁 40條/頁 共40條 
  • 1
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  • 功能描述
  • MOSFET 2 N-CH 40V 22-VSON-CLIP
  • 制造商
  • texas instruments
  • 系列
  • NexFET??
  • 包裝
  • 剪切帶（CT）
  • 零件狀態(tài)
  • 在售
  • FET 類型
  • 2 個 N 通道（半橋）
  • FET 功能
  • 標準
  • 漏源電壓（Vdss）
  • 40V
  • 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）
  • -
  • 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）
  • 0.95 毫歐 @ 30A，10V
  • 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
  • 2.3V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）
  • 88nC @ 4.5V
  • 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
  • 12400pF @ 20V
  • 功率 - 最大值
  • 12W
  • 工作溫度
  • -55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安裝類型
  • 表面貼裝
  • 封裝/外殼
  • 22-PowerTFDFN
  • 供應(yīng)商器件封裝
  • 22-VSON-CLIP (5x6)
  • 標準包裝
  • 1
CSD88584Q5DCT 技術(shù)參數(shù)
  • CSD88539NDT 功能描述:MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個 N 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:15A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:28 毫歐 @ 5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.6V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:9.4nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:741pF @ 30V 功率 - 最大值:2.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商器件封裝:8-SO 標準包裝:1 CSD88539ND 功能描述:MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個 N 溝道（雙） FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:15A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:28 毫歐 @ 5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.6V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:9.4nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:741pF @ 30V 功率 - 最大值:2.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商器件封裝:8-SOIC 標準包裝:1 CSD88537NDT 功能描述:MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個 N 溝道（雙） FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:15A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:15 毫歐 @ 8A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.6V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:18nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1400pF @ 30V 功率 - 最大值:2.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商器件封裝:8-SO 標準包裝:1 CSD88537ND 功能描述:MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個 N 溝道（雙） FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:15A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:15 毫歐 @ 8A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.6V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:18nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1400pF @ 30V 功率 - 最大值:2.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商器件封裝:8-SOIC 標準包裝:1 CSD87588NT 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 25A 5PTAB 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個 N 通道（半橋） FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:25A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:9.6 毫歐 @ 15A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.9V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:4.1nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:736pF @ 15V 功率 - 最大值:6W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:5-LGA 供應(yīng)商器件封裝:5-PTAB（5x3.5） 標準包裝:1 CSD95373BQ5MT CSD95375Q4M CSD95377Q4M CSD95377Q4MT CSD95378BQ5M CSD95378BQ5MC CSD95378BQ5MCT CSD95378BQ5MT CSD95379Q3M CSD95379Q3MT CSD95472Q5MC CSD95472Q5MCT CSD95481RWJ CSD95481RWJT CSD95482RWJ CSD95482RWJT CSD95490Q5MC CSD95490Q5MCT
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