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CSD88599Q5DCT

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • CSD88599Q5DCT
    CSD88599Q5DCT

    CSD88599Q5DCT

  • 林沃田信息技術(shù)(深圳)有限公司
    林沃田信息技術(shù)(深圳)有限公司

    聯(lián)系人:岳先生 田小姐

    電話:0755-8278116013760181591

    地址:深圳市福田區(qū)福田街道福南社區(qū)深南中路 3037號南光捷佳大廈2906

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 92500

  • Texas Instruments

  • MOSFET 2 N-CH 60V 22

  • 22+

  • -
  • CSD88599Q5DCT
    CSD88599Q5DCT

    CSD88599Q5DCT

  • 深圳市瑞智芯科技有限公司
    深圳市瑞智芯科技有限公司

    聯(lián)系人:李先生

    電話:0755-8308997518573537851

    地址:深圳市福田區(qū)中航路42號中航北苑大廈C座6C3

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 0

  • Ti

  • VSON-CLIP (DMM)

  • 20

  • -
  • 瑞智芯 只有原裝

  • 1/1頁 40條/頁 共40條 
  • 1
CSD88599Q5DCT PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • MOSFET 2 N-CH 60V 22-VSON-CLIP
  • 制造商
  • texas instruments
  • 系列
  • NexFET??
  • 包裝
  • 剪切帶(CT)
  • 零件狀態(tài)
  • 在售
  • FET 類型
  • 2 個 N 通道(半橋)
  • FET 功能
  • 標(biāo)準(zhǔn)
  • 漏源電壓(Vdss)
  • 60V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時)
  • -
  • 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值)
  • 2.1 毫歐 @ 30A,10V
  • 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)
  • 2.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值)
  • 27nC @ 4.5V
  • 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值)
  • 4840pF @ 30V
  • 功率 - 最大值
  • 12W
  • 工作溫度
  • -55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安裝類型
  • 表面貼裝
  • 封裝/外殼
  • 22-PowerTFDFN
  • 供應(yīng)商器件封裝
  • 22-VSON-CLIP (5x6)
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 1
CSD88599Q5DCT 技術(shù)參數(shù)
  • CSD88584Q5DCT 功能描述:MOSFET 2 N-CH 40V 22-VSON-CLIP 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:2 個 N 通道(半橋) FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源電壓(Vdss):40V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):- 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):0.95 毫歐 @ 30A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.3V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):88nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):12400pF @ 20V 功率 - 最大值:12W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:22-PowerTFDFN 供應(yīng)商器件封裝:22-VSON-CLIP (5x6) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD88539NDT 功能描述:MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個 N 溝道(雙) FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):15A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):28 毫歐 @ 5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.6V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):9.4nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):741pF @ 30V 功率 - 最大值:2.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應(yīng)商器件封裝:8-SO 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD88539ND 功能描述:MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個 N 溝道(雙) FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):15A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):28 毫歐 @ 5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.6V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):9.4nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):741pF @ 30V 功率 - 最大值:2.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應(yīng)商器件封裝:8-SOIC 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD88537NDT 功能描述:MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個 N 溝道(雙) FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):15A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):15 毫歐 @ 8A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.6V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):18nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1400pF @ 30V 功率 - 最大值:2.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應(yīng)商器件封裝:8-SO 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD88537ND 功能描述:MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個 N 溝道(雙) FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):15A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):15 毫歐 @ 8A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.6V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):18nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1400pF @ 30V 功率 - 最大值:2.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應(yīng)商器件封裝:8-SOIC 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD95377Q4M CSD95377Q4MT CSD95378BQ5M CSD95378BQ5MC CSD95378BQ5MCT CSD95378BQ5MT CSD95379Q3M CSD95379Q3MT CSD95472Q5MC CSD95472Q5MCT CSD95481RWJ CSD95481RWJT CSD95482RWJ CSD95482RWJT CSD95490Q5MC CSD95490Q5MCT CSD95491Q5MC CSD95491Q5MCT
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