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現(xiàn)貨
集好芯城
集好芯城
聯(lián)系人：陳先生 13360533550
電話：0755-83289799
地址：深圳市福田區(qū)深南中路漢國城市商業(yè)中心55層香港新界葵興葵康大廈6樓
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
37188
TI(德州儀器)
22+
-
原裝原廠現(xiàn)貨

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深圳市英科美電子有限公司
深圳市英科美電子有限公司
聯(lián)系人：張先生
電話：0755-23903058
地址：深圳市福田區(qū)振興路西101號華勻大廈1棟7F
250
TI
N/A
22+
-
每一片都來自原廠，正品保證

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北京京北通宇電子元件有限公司
北京京北通宇電子元件有限公司
聯(lián)系人：王女士
電話：13969210552
地址：北京市海淀區(qū)安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈505（京北通宇）
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
4500
TI
NA
近兩年
-
查貨可到京北通宇商城www.jbchip...

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深圳市晶美隆科技有限公司
深圳市晶美隆科技有限公司
聯(lián)系人：李林
電話：0755-8251939113714584659李先生（可開13%增票，3
地址：深圳市福田區(qū)華強北電子科技大夏A座36樓C09
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
11631
TI/德州儀器
LSON8
23+
-
全新原裝正品現(xiàn)貨熱賣

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北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
0
原廠封裝
10000
16+/17+
-
原裝正品進口現(xiàn)貨電話010-62104...

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深圳市華創(chuàng)歐科技有限公司
深圳市華創(chuàng)歐科技有限公司
聯(lián)系人：朱先生
電話：2394575513590206539
地址：深圳市福田區(qū)華強北上步工業(yè)區(qū)201棟4樓4A68-2室
18200
TI
LSON-8
2022+
-
十年芯途，只做原裝，實單可以支持。075...

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深圳市科翼源電子有限公司
深圳市科翼源電子有限公司
聯(lián)系人：朱小姐
電話：13510998172
地址：振華路100號深紡大廈C座2樓E16
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
1050
TI/德州儀器
QFN
24+
-
原廠原裝正品現(xiàn)貨

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深圳市瑞智芯科技有限公司
深圳市瑞智芯科技有限公司
聯(lián)系人：李先生
電話：0755-8308997518573537851
地址：深圳市福田區(qū)中航路42號中航北苑大廈C座6C3
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
0
Ti
(DQZ)
19
-
瑞智芯只有原裝

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深圳市德江源電子有限公司
深圳市德江源電子有限公司
聯(lián)系人：張先生
電話：8296641615986789713
地址：深圳市福田區(qū)華強北街道振華路100號深紡大廈C座1A層1A621室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
10000
TI/德州儀器
LSON-CLIP-8
19+
-
只做原裝，假一賠十

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深圳市暢洲科技有限公司
深圳市暢洲科技有限公司
聯(lián)系人：吳小姐
電話：852906044930755-82762262
地址：深圳市福田區(qū)華強北街道華航社區(qū)深南中路3018號都會軒2506
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
10000
TI(德州儀器)
LSON-8
22+
-
全新原裝正品

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林沃田信息技術(shù)(深圳)有限公司
林沃田信息技術(shù)(深圳)有限公司
聯(lián)系人：岳先生田小姐
電話：0755-8278116013760181591
地址：深圳市福田區(qū)福田街道福南社區(qū)深南中路 3037號南光捷佳大廈2906
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
60510
Texas Instruments
MOSFET N-CH 30V POWE
22+
-

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深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯(lián)系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。
865000
TI
QFN
最新批號
-
一級代理.原裝特價現(xiàn)貨！

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萬三科技（深圳）有限公司
萬三科技（深圳）有限公司
聯(lián)系人：張國龍
電話：177226252410755-21008751
地址：深圳市龍華區(qū)民治街道新牛社區(qū)金地梅隴鎮(zhèn)9棟4單元14C
6500000
Texas Instruments
原廠原裝
22+
-
萬三科技秉承原裝實單可議

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萬三科技（深圳）有限公司
萬三科技（深圳）有限公司
聯(lián)系人：王俊杰
電話：188185984650755-23763516
地址：深圳市龍華區(qū)民治街道新牛社區(qū)金地梅隴鎮(zhèn)9棟4單元14C
6500000
Texas Instruments
原廠原裝
22+
-
萬三科技秉承原裝實單可議

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深圳市信通吉電子有限公司
深圳市信通吉電子有限公司
聯(lián)系人：馮
電話：17841084408
地址：深圳市福田區(qū)華強北街道深南中路3006號佳和大廈B座20
27800
TI原裝正品
SON8
19+
-
香港總公司18年專業(yè)電子元器件現(xiàn)貨供應(yīng)商

CSD87335Q3D
深圳市華雄半導體（集團）有限公司
深圳市華雄半導體（集團）有限公司
聯(lián)系人：雷精云
電話：18988598856
地址：深圳龍崗區(qū)棕科云端大廈1棟B座15層
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
3058
TI
QFN
2212+
-
十年專營，供應(yīng)原裝正品！熱賣現(xiàn)貨！

CSD87335Q3D
深圳市安博威科技有限公司
深圳市安博威科技有限公司
聯(lián)系人：吳
電話：18320850923
地址：深圳市福田區(qū)華強北路賽格廣場1713室
9000
TI
LSON8
18+
-
原裝進口現(xiàn)貨，價格優(yōu)惠

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功能描述
MOSFET N-CH 30V POWERBLOCK
制造商
texas instruments
系列
NexFET??
包裝
剪切帶（CT）
零件狀態(tài)
有效
FET 類型
2 N 溝道（雙）非對稱型
FET 功能
標準
漏源極電壓（Vdss）
30V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）
-
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）
-
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
1.9V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）
7.4nC @ 4.5V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）
1050pF @ 15V
功率 - 最大值
6W
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
8-PowerLDFN
供應(yīng)商器件封裝
8-LSON（3.3x3.3）
標準包裝
1

CSD87335Q3D 技術(shù)參數(shù)

CSD87334Q3DT 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 20A 8SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 N 溝道（雙）非對稱型 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:- 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:6 毫歐 @ 12A，8V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:8.3nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1260pF @ 15V 功率 - 最大值:6W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:8-VSON（3.3x3.3）標準包裝:1 CSD87333Q3DT 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 15A 8SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 N 溝道（雙）非對稱型 FET 功能:邏輯電平柵極，5V 驅(qū)動漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:15A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:14.3 毫歐 @ 4A，8V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:4.6nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:662pF @ 15V 功率 - 最大值:6W 工作溫度:125°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:8-VSON（3.3x3.3）標準包裝:1 CSD87333Q3D 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 15A 8SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 N 溝道（雙）非對稱型 FET 功能:邏輯電平柵極，5V 驅(qū)動漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:15A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:14.3 毫歐 @ 4A，8V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:4.6nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:662pF @ 15V 功率 - 最大值:6W 工作溫度:125°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:8-VSON（3.3x3.3）標準包裝:1 CSD87331Q3D 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 15A 8SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個 N 通道（半橋） FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:15A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:- 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.1V，1.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:3.2nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:518pF @ 15V 功率 - 最大值:6W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerLDFN 供應(yīng)商器件封裝:8-LSON（5x6）標準包裝:1 CSD87330Q3D 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 20A 8SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個 N 通道（半橋） FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:20A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:- 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:5.8nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:900pF @ 15V 功率 - 最大值:6W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerLDFN 供應(yīng)商器件封裝:8-LSON（3.3x3.3）標準包裝:1 CSD87381PEVM-603 CSD87381PT CSD87384M CSD87384MEVM-603 CSD87384MT CSD87501L CSD87501LT CSD87502Q2 CSD87502Q2T CSD87503Q3E CSD87503Q3ET CSD87588N CSD87588NEVM-603 CSD87588NT CSD88537ND CSD88537NDT CSD88539ND CSD88539NDT