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CSD87503Q3ET

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • CSD87503Q3ET
    CSD87503Q3ET

    CSD87503Q3ET

  • 林沃田信息技術(shù)(深圳)有限公司
    林沃田信息技術(shù)(深圳)有限公司

    聯(lián)系人：岳先生 田小姐

    電話：0755-8278116013760181591

    地址：深圳市福田區(qū)福田街道福南社區(qū)深南中路 3037號南光捷佳大廈2906

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 92500

  • Texas Instruments

  • 30-V DUAL N-CHANNEL

  • 22+

  • -

  • CSD87503Q3ET
    CSD87503Q3ET

    CSD87503Q3ET

  • 深圳市瑞智芯科技有限公司
    深圳市瑞智芯科技有限公司

    聯(lián)系人：朱先生

    電話：0755-82999903

    地址：深圳市福田區(qū)中航路42號中航北苑大廈C座6C3

  • 29224

  • TI/德州儀器

  • N/A

  • 21+

  • -

  • 瑞智芯， 只有原裝

  • CSD87503Q3ET
    CSD87503Q3ET

    CSD87503Q3ET

  • 深圳市德江源電子有限公司
    深圳市德江源電子有限公司

    聯(lián)系人：張先生

    電話：8296641615986789713

    地址：深圳市福田區(qū)華強北街道振華路100號深紡大廈C座1A層1A621室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 13000

  • TI/德州儀器

  • VSON-8

  • 20+

  • -

  • 只做原裝，假一賠十

  • CSD87503Q3ET
    CSD87503Q3ET

    CSD87503Q3ET

  • 深圳市科宏特電子有限公司
    深圳市科宏特電子有限公司

    聯(lián)系人：李瑞兵

    電話：18897698645

    地址：深圳市福田區(qū)深南中路華強電子世界三店佳和4C148

  • 36000000

  • TI

  • 22+

  • -

  • 原裝正品

  • 1/1頁 40條/頁 共40條 
  • 1
CSD87503Q3ET PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準
  • 功能描述
  • 30-V DUAL N-CHANNEL MOSFET, COMM
  • 制造商
  • texas instruments
  • 系列
  • NexFET??
  • 零件狀態(tài)
  • 在售
  • FET 類型
  • 2 N 溝道（雙）共源
  • FET 功能
  • 標準
  • 漏源電壓（Vdss）
  • 30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）
  • 10A（Ta）
  • 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）
  • -
  • 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
  • 2.1V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）
  • 17.4nC @ 4.5V
  • 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
  • 1020pF @ 15V
  • 功率 - 最大值
  • 15.6W
  • 工作溫度
  • -55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安裝類型
  • 表面貼裝
  • 封裝/外殼
  • 8-PowerVDFN
  • 供應商器件封裝
  • 8-VSON（3.3x3.3）
  • 標準包裝
  • 1
CSD87503Q3ET 技術(shù)參數(shù)
  • CSD87502Q2T 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 5A 6WSON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個 N 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平柵極，5V 驅(qū)動 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:5A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:32.4 毫歐 @ 4A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:6nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:353pF @ 15V 功率 - 最大值:2.3W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-WDFN 裸露焊盤 供應商器件封裝:6-WSON（2x2） 標準包裝:1 CSD87501LT 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 10PICOSTAR 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 N 溝道（雙）共漏 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:- 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:- 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:- 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.3V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:40nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:10-XFBGA 供應商器件封裝:10-Picostar（3.37x1.47） 標準包裝:1 CSD87501L 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 10PICOSTAR 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 N 溝道（雙）共漏 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:- 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:- 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:- 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.3V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:40nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:10-XFBGA 供應商器件封裝:10-Picostar（3.37x1.47） 標準包裝:1 CSD87384MT 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 30A 5PTAB 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個 N 通道（半橋） FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:30A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:7.7 毫歐 @ 25A，8V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.9V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:9.2nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1150pF @ 15V 功率 - 最大值:8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:5-LGA 供應商器件封裝:5-PTAB（5x3.5） 標準包裝:1 CSD87384M 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 30A 5PTAB 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個 N 通道（半橋） FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:30A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:7.7 毫歐 @ 25A，8V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.9V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:9.2nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1150pF @ 15V 功率 - 最大值:8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:5-LGA 供應商器件封裝:5-PTAB（5x3.5） 標準包裝:1 CSD88599Q5DC CSD88599Q5DCT CSD95372AQ5M CSD95372BQ5M CSD95372BQ5MC CSD95372BQ5MCT CSD95372BQ5MT CSD95373AQ5M CSD95373BQ5M CSD95373BQ5MT CSD95375Q4M CSD95377Q4M CSD95377Q4MT CSD95378BQ5M CSD95378BQ5MC CSD95378BQ5MCT CSD95378BQ5MT CSD95379Q3M
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