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CSD87334Q3DT

配單專家企業(yè)名單
  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號(hào)
  • 價(jià)格
  • 說明
  • 操作
  • CSD87334Q3DT
    CSD87334Q3DT

    CSD87334Q3DT

  • 深圳市德江源電子有限公司
    深圳市德江源電子有限公司

    聯(lián)系人：張先生

    電話：8296641615986789713

    地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道振華路100號(hào)深紡大廈C座1A層1A621室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 3000

  • TI/德州儀器

  • VSON-CLIP-8

  • -

  • 只做原裝，假一賠十

  • CSD87334Q3DT
    CSD87334Q3DT

    CSD87334Q3DT

  • 深圳市瑞智芯科技有限公司
    深圳市瑞智芯科技有限公司

    聯(lián)系人：朱先生

    電話：0755-82999903

    地址：深圳市福田區(qū)中航路42號(hào)中航北苑大廈C座6C3

  • 29289

  • TI/德州儀器

  • N/A

  • 21+

  • -

  • 瑞智芯， 只有原裝

  • CSD87334Q3DT
    CSD87334Q3DT

    CSD87334Q3DT

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人：雷春艷

    電話：19129493934（手機(jī)優(yōu)先微信同號(hào)）0755-83266697

    地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號(hào)寶華大廈A座2028室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 6250

  • TI

  • VSON-CLIP8

  • 15+

  • -

  • 全新原裝現(xiàn)貨

  • CSD87334Q3DT
    CSD87334Q3DT

    CSD87334Q3DT

  • 深圳市瑞智芯科技有限公司
    深圳市瑞智芯科技有限公司

    聯(lián)系人：李先生

    電話：0755-8308997518573537851

    地址：深圳市福田區(qū)中航路42號(hào)中航北苑大廈C座6C3

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 0

  • Ti

  • (DPB)

  • 21

  • -

  • 瑞智芯 只有原裝

  • CSD87334Q3DT
    CSD87334Q3DT

    CSD87334Q3DT

  • 深圳市芯馳科技有限公司
    深圳市芯馳科技有限公司

    聯(lián)系人：丁皓鵬

    電話：1866538497818124166365

    地址：福田街道深南中路3029號(hào)南光捷佳大廈2331

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 100000

  • TEXAS INSTRUMENTS

  • N/A

  • 15+

  • -

  • 原裝正品 價(jià)格優(yōu)勢！

  • 1/1頁 40條/頁 共11條 
  • 1
CSD87334Q3DT PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • MOSFET 2N-CH 30V 20A 8SON
  • 制造商
  • texas instruments
  • 系列
  • NexFET??
  • 包裝
  • 剪切帶（CT）
  • 零件狀態(tài)
  • 有效
  • FET 類型
  • 2 N 溝道（雙）非對(duì)稱型
  • FET 功能
  • 標(biāo)準(zhǔn)
  • 漏源極電壓（Vdss）
  • 30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）
  • -
  • 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）
  • 6 毫歐 @ 12A，8V
  • 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）
  • 1.2V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）
  • 8.3nC @ 4.5V
  • 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）
  • 1260pF @ 15V
  • 功率 - 最大值
  • 6W
  • 工作溫度
  • -55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安裝類型
  • 表面貼裝
  • 封裝/外殼
  • 8-PowerTDFN
  • 供應(yīng)商器件封裝
  • 8-VSON（3.3x3.3）
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 1
CSD87334Q3DT 技術(shù)參數(shù)
  • CSD87333Q3DT 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 15A 8SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 N 溝道（雙）非對(duì)稱型 FET 功能:邏輯電平柵極，5V 驅(qū)動(dòng) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:15A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:14.3 毫歐 @ 4A，8V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:4.6nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:662pF @ 15V 功率 - 最大值:6W 工作溫度:125°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:8-VSON（3.3x3.3） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD87333Q3D 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 15A 8SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 N 溝道（雙）非對(duì)稱型 FET 功能:邏輯電平柵極，5V 驅(qū)動(dòng) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:15A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:14.3 毫歐 @ 4A，8V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:4.6nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:662pF @ 15V 功率 - 最大值:6W 工作溫度:125°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:8-VSON（3.3x3.3） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD87331Q3D 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 15A 8SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個(gè) N 通道（半橋） FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:15A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:- 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.1V，1.2V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:3.2nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:518pF @ 15V 功率 - 最大值:6W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerLDFN 供應(yīng)商器件封裝:8-LSON（5x6） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD87330Q3D 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 20A 8SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個(gè) N 通道（半橋） FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:20A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:- 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:5.8nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:900pF @ 15V 功率 - 最大值:6W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerLDFN 供應(yīng)商器件封裝:8-LSON（3.3x3.3） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD87313DMST 功能描述:MOSFET 2 N-CHANNEL 30V 8WSON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:2 N 溝道（雙）共漏 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:- 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:- 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:28nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:4290pF @ 15V 功率 - 最大值:2.7W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerWDFN 供應(yīng)商器件封裝:8-WSON（3.3x3.3） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD87381P CSD87381PEVM-603 CSD87381PT CSD87384M CSD87384MEVM-603 CSD87384MT CSD87501L CSD87501LT CSD87502Q2 CSD87502Q2T CSD87503Q3E CSD87503Q3ET CSD87588N CSD87588NEVM-603 CSD87588NT CSD88537ND CSD88537NDT CSD88539ND
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