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CSD87334Q3DT

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應商
  • 數量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • CSD87334Q3DT
    CSD87334Q3DT

    CSD87334Q3DT

  • 深圳市瑞智芯科技有限公司
    深圳市瑞智芯科技有限公司

    聯(lián)系人:朱先生

    電話:0755-82999903

    地址:深圳市福田區(qū)中航路42號中航北苑大廈C座6C3

  • 29289

  • TI/德州儀器

  • N/A

  • 21+

  • -
  • 瑞智芯, 只有原裝

  • CSD87334Q3DT
    CSD87334Q3DT

    CSD87334Q3DT

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人:雷春艷

    電話:19129493934(手機優(yōu)先微信同號)0755-83266697

    地址:深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質:營業(yè)執(zhí)照

  • 6250

  • TI

  • VSON-CLIP8

  • 15+

  • -
  • 全新原裝現貨

  • CSD87334Q3DT
    CSD87334Q3DT

    CSD87334Q3DT

  • 深圳市德江源電子有限公司
    深圳市德江源電子有限公司

    聯(lián)系人:張先生

    電話:8296641615986789713

    地址:深圳市福田區(qū)華強北街道振華路100號深紡大廈C座1A層1A621室

    資質:營業(yè)執(zhí)照

  • 3000

  • TI/德州儀器

  • VSON-CLIP-8

  • -
  • 只做原裝,假一賠十

  • CSD87334Q3DT
    CSD87334Q3DT

    CSD87334Q3DT

  • 林沃田信息技術(深圳)有限公司
    林沃田信息技術(深圳)有限公司

    聯(lián)系人:岳先生 田小姐

    電話:0755-8278116013760181591

    地址:深圳市福田區(qū)福田街道福南社區(qū)深南中路 3037號南光捷佳大廈2906

    資質:營業(yè)執(zhí)照

  • 60510

  • Texas Instruments

  • MOSFET 2N-CH 30V 20A

  • 22+

  • -
  • 1/1頁 40條/頁 共11條 
  • 1
CSD87334Q3DT PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • MOSFET 2N-CH 30V 20A 8SON
  • 制造商
  • texas instruments
  • 系列
  • NexFET??
  • 包裝
  • 剪切帶(CT)
  • 零件狀態(tài)
  • 有效
  • FET 類型
  • 2 N 溝道(雙)非對稱型
  • FET 功能
  • 標準
  • 漏源極電壓(Vdss)
  • 30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時)
  • -
  • 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值)
  • 6 毫歐 @ 12A,8V
  • 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)
  • 1.2V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg)
  • 8.3nC @ 4.5V
  • 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)
  • 1260pF @ 15V
  • 功率 - 最大值
  • 6W
  • 工作溫度
  • -55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安裝類型
  • 表面貼裝
  • 封裝/外殼
  • 8-PowerTDFN
  • 供應商器件封裝
  • 8-VSON(3.3x3.3)
  • 標準包裝
  • 1
CSD87334Q3DT 技術參數
  • CSD87333Q3DT 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 15A 8SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 N 溝道(雙)非對稱型 FET 功能:邏輯電平柵極,5V 驅動 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):15A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):14.3 毫歐 @ 4A,8V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):4.6nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):662pF @ 15V 功率 - 最大值:6W 工作溫度:125°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:8-VSON(3.3x3.3) 標準包裝:1 CSD87333Q3D 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 15A 8SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 N 溝道(雙)非對稱型 FET 功能:邏輯電平柵極,5V 驅動 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):15A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):14.3 毫歐 @ 4A,8V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):4.6nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):662pF @ 15V 功率 - 最大值:6W 工作溫度:125°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:8-VSON(3.3x3.3) 標準包裝:1 CSD87331Q3D 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 15A 8SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個 N 通道(半橋) FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):15A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):- 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.1V,1.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):3.2nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):518pF @ 15V 功率 - 最大值:6W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerLDFN 供應商器件封裝:8-LSON(5x6) 標準包裝:1 CSD87330Q3D 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 20A 8SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個 N 通道(半橋) FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):20A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):- 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):5.8nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):900pF @ 15V 功率 - 最大值:6W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerLDFN 供應商器件封裝:8-LSON(3.3x3.3) 標準包裝:1 CSD87313DMST 功能描述:MOSFET 2 N-CHANNEL 30V 8WSON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:2 N 溝道(雙)共漏 FET 功能:標準 漏源電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):- 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):- 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):28nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):4290pF @ 15V 功率 - 最大值:2.7W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerWDFN 供應商器件封裝:8-WSON(3.3x3.3) 標準包裝:1 CSD87381P CSD87381PEVM-603 CSD87381PT CSD87384M CSD87384MEVM-603 CSD87384MT CSD87501L CSD87501LT CSD87502Q2 CSD87502Q2T CSD87503Q3E CSD87503Q3ET CSD87588N CSD87588NEVM-603 CSD87588NT CSD88537ND CSD88537NDT CSD88539ND
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