參數資料
型號： BYV410X-600
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 參考電壓二極管
英文描述： Dual enhanced ultrafast power diode
中文描述： 20 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB
封裝： PLASTIC, TO-220F, FULL PACK-3
文件頁數： 4/10頁
文件大?。?/td> 145K
代理商： BYV410X-600
BYV410X-600_1
NXP B.V. 2009. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 01 — 29 June 2009
4 of 10
NXP Semiconductors
BYV410X-600
Enhanced ultrafast dual rectifier diode
5.
Thermal characteristics
6.
Isolation characteristics
Table 5.
Symbol
R
th(j-h)
Thermal characteristics
Parameter
thermal resistance from
junction to heatsink
Conditions
with heatsink compound; per diode;
see
Figure 3
with heatsink compound; both diodes
conducting
Min
-
Typ
-
Max
5
Unit
K/W
-
-
3
K/W
R
th(j-a)
thermal resistance from
junction to ambient free air
-
55
-
K/W
Fig 3.
Transient thermal impedance from junction to heatsink per diode as a function of pulse width
001aaf033
1
10
1
10
Z
th(j-h)
(K/W)
10
3
10
2
t
p
(s)
10
6
10
1
10
1
10
5
10
3
10
2
10
4
t
p
t
p
T
T
P
t
δ
=
Table 6.
Symbol
V
isol(RMS)
Isolation characteristics
Parameter
RMS isolation voltage
Conditions
50 Hz < f < 60 Hz; sinusoidal waveform;
relative humidity < 65 %; clean and dust
free; from all terminals to external heatsink
from cathode to external heatsink; f = 1 MHz
Min
-
Typ
-
Max
2500
Unit
V
C
isol
isolation capacitance
-
10
-
pF
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PDF描述
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參數描述
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