參數(shù)資料
型號(hào)： BYV410X-600
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 參考電壓二極管
英文描述： Dual enhanced ultrafast power diode
中文描述： 20 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB
封裝： PLASTIC, TO-220F, FULL PACK-3
文件頁(yè)數(shù)： 2/10頁(yè)
文件大?。?/td> 145K
代理商： BYV410X-600
BYV410X-600_1
NXP B.V. 2009. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 01 — 29 June 2009
2 of 10
NXP Semiconductors
BYV410X-600
Enhanced ultrafast dual rectifier diode
2.
Pinning information
3.
Ordering information
4.
Limiting values
Table 2.
Pin
1
2
3
mb
Pinning information
Symbol
Description
A1
anode 1
K
cathode
A2
anode 2
n.c.
mounting base; isolated
Simplified outline
Graphic symbol
SOT186A
(TO-220F)
3
2
1
mb
sym125
A2
A1
K
Table 3.
Type number
Ordering information
Package
Name
TO-220F
Description
plastic single-ended package; isolated heatsink mounted; 1 mounting
hole; 3-lead TO-220 "full pack"
Version
SOT186A
BYV410X-600
Table 4.
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).
Limiting values
Symbol
V
RRM
Parameter
repetitive peak reverse
voltage
crest working reverse
voltage
reverse voltage
average output current
Conditions
Min
-
Max
600
Unit
V
V
RWM
-
600
V
V
R
I
O(AV)
DC
square-wave pulse;
δ
= 0.5; T
h
≤
42 °C; both diodes
conducting; see
Figure 1
; see
Figure 2
square-wave pulse;
δ
= 0.5; t
p
= 25 μs; T
h
≤
60 °C; per
diode
t
p
= 8.3 ms; sine-wave pulse; T
j(init)
= 25 °C; per diode
t
p
= 10 ms; sine-wave pulse; T
j(init)
25 °C; per diode
-
-
600
20
V
A
I
FRM
repetitive peak forward
current
non-repetitive peak
forward current
-
20
A
I
FSM
-
-
-40
-
132
120
150
150
A
A
°C
°C
T
stg
T
j
storage temperature
junction temperature
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BYV42E-150 Dual ultrafast power diode
BYV42G-200 Dual ultrafast power diode
BYV44-500 Dual ultrafast power diode
BYV79E-200 Ultrafast power diode
BYV95 Miniature Glass Passivated Fast Switching Rectifier(微型鈍化玻璃快速轉(zhuǎn)換整流器)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BYV410X-600,127 功能描述:二極管 - 通用，功率，開關(guān) DIODE RECT UFAST DL 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續(xù)電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復(fù)時(shí)間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube
BYV410X-600127 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:FAST RECOVERY DIODE DUAL COMMON CATHODE
BYV415K-600PQ 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 15A TO3P 制造商:ween semiconductors 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):在售 二極管配置:1 對(duì)共陰極 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 電流 - 平均整流（Io）（每二極管）:15A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf:2.1V @ 15A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:45ns 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:10μA @ 600V 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-3P-3，SC-65-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-3P 標(biāo)準(zhǔn)包裝:450
BYV415W-600PQ 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 15A TO247 制造商:ween semiconductors 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):在售 二極管配置:1 對(duì)共陰極 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 電流 - 平均整流（Io）（每二極管）:15A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf:2.1V @ 15A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:45ns 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:10μA @ 600V 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-247-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:300
BYV42 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Rectifier diodes ultrafast, rugged
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