參數(shù)資料
型號: BYV410X-600
廠商: NXP SEMICONDUCTORS
元件分類: 參考電壓二極管
英文描述: Dual enhanced ultrafast power diode
中文描述: 20 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB
封裝: PLASTIC, TO-220F, FULL PACK-3
文件頁數(shù): 3/10頁
文件大?。?/td> 145K
代理商: BYV410X-600
BYV410X-600_1
NXP B.V. 2009. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 01 — 29 June 2009
3 of 10
NXP Semiconductors
BYV410X-600
Enhanced ultrafast dual rectifier diode
Fig 1.
Forward power dissipation as a function of
average forward current; square waveform;
maximum values
Fig 2.
Forward power dissipation as a function of
average forward current; sinusoidal waveform;
maximum values
003aad262
0
6
12
18
24
0
5
7
15
I
F(AV)
(A)
P
tot
(W)
δ
= 1
0.5
0.2
0.1
003aad263
0
6
12
18
24
0
5
10
I
F(AV)
(
A)
P
tot
(W)
a = 180
°
120
90
60
30
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BYV410X-600127 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:FAST RECOVERY DIODE DUAL COMMON CATHODE
BYV415K-600PQ 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 15A TO3P 制造商:ween semiconductors 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):在售 二極管配置:1 對共陰極 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):600V 電流 - 平均整流(Io)(每二極管):15A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:2.1V @ 15A 速度:快速恢復(fù) = 200mA(Io) 反向恢復(fù)時間(trr):45ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 600V 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-3P-3,SC-65-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-3P 標準包裝:450
BYV415W-600PQ 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 15A TO247 制造商:ween semiconductors 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):在售 二極管配置:1 對共陰極 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):600V 電流 - 平均整流(Io)(每二極管):15A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:2.1V @ 15A 速度:快速恢復(fù) = 200mA(Io) 反向恢復(fù)時間(trr):45ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 600V 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-247-3 標準包裝:300
BYV42 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Rectifier diodes ultrafast, rugged