參數(shù)資料
型號： BYV32G-200
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 參考電壓二極管
英文描述： Dual ultrafast power diode
中文描述： 10 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-262AA
封裝： PLASTIC, TO-262, I2PAK-3
文件頁數(shù)： 4/11頁
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代理商： BYV32G-200
BYV32G-200
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Product data sheet
Rev. 01 — 11 January 2011
4 of 11
NXP Semiconductors
BYV32G-200
Dual ultrafast power diode
5.
Thermal characteristics
Table 5.
Symbol
R
th(j-mb)
Thermal characteristics
Parameter
thermal resistance from
junction to mounting base
Conditions
with heatsink compound; both diodes
conducting
with heatsink compound; per diode;
see
Figure 3
Min
-
Typ
-
Max
1.6
Unit
K/W
-
-
2.4
K/W
R
th(j-a)
thermal resistance from
junction to ambient
-
60
-
K/W
Fig 3.
Transient thermal impedance from junction to mounting base as a function of pulse width
003aac980
1
10
1
10
Z
th(j-mb)
(K/W)
10
3
10
2
t
p
(s)
10
6
10
1
10
1
10
5
10
3
10
2
10
4
t
p
t
p
T
T
P
t
δ
=
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PDF描述
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