參數(shù)資料
型號： BYV32G-200
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 參考電壓二極管
英文描述： Dual ultrafast power diode
中文描述： 10 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-262AA
封裝： PLASTIC, TO-262, I2PAK-3
文件頁數(shù)： 2/11頁
文件大?。?/td> 148K
代理商： BYV32G-200
BYV32G-200
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Product data sheet
Rev. 01 — 11 January 2011
2 of 11
NXP Semiconductors
BYV32G-200
Dual ultrafast power diode
2.
Pinning information
3.
Ordering information
Dynamic characteristics
t
rr
reverse recovery time
I
F
= 1 A; V
R
= 30 V;
dI
F
/dt = 100 A/μs; T
j
= 25 °C;
ramp recovery; see
Figure 5
I
R
= 1 A; I
F
= 0.5 A;
T
j
= 25 °C; step recovery;
measured at reverse current
= 0.25 A; see
Figure 6
-
20
25
ns
-
10
20
ns
Table 1.
Symbol
Quick reference data
…continued
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Table 2.
Pin
1
2
3
mb
Pinning information
Symbol
Description
A1
anode 1
K
cathode
A2
anode 2
K
mounting base; connected to cathode
Simplified outline
Graphic symbol
SOT226A (I2PAK)
1
2
3
sym125
A2
A1
K
Table 3.
Type number
Ordering information
Package
Name
I2PAK
Description
plastic single-ended package (I2PAK); TO-262
Version
SOT226A
BYV32G-200
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BYV34-400 Dual ultrafast power diode
BYV34-600 Dual ultrafast power diode
BYV34G-600 Dual ultrafast power diode
BYV34X-600 Dual ultrafast power diode
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參數(shù)描述
BYV32G-200,127 功能描述:二極管 - 通用，功率，開關(guān) DUAL ULTRAFAST PWR DIODE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續(xù)電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復時間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube
BYV34 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Dual rectifier diodes ultrafast
BYV34-300 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Rectifier Diode, Common Cathode, 300 Volt, TO-220AB
BYV34-300/B 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:DIODE ULTRA FAST 2X10A
BYV34300M 制造商:SEME-LAB 制造商全稱:Seme LAB 功能描述:HERMETICALLY SEALED DUAL FAST RECOVERY SILICON RECTIFIER FOR HI.REL APPLICATIONS
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