參數(shù)資料
型號： BUX86P
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Silicon Diffused Power Transistor(硅擴(kuò)散功率型晶體管)
中文描述： 0.5 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： PLASTIC, SOT-82, 3 PIN
文件頁數(shù)： 5/6頁
文件大?。?/td> 50K
代理商： BUX86P
Philips Semiconductors
Product specification
Silicon Diffused Power Transistor
BUX86P
BUX87P
MECHANICAL DATA
Dimensions in mm
Net Mass: 0.8 g
Fig.11. SOT82; pin 2 connected to mounting base.
Notes
1. Refer to mounting instructions for SOT82 envelopes.
2. Epoxy meets UL94 V0 at 1/8".
4.58
2.54
max
1)
1.2
2.8
2.3
3.1
2.5
1
2
3
0.88
max
2.29
15.3
min
11.1
max
3.75
7.8
max
1) Lead dimensions within this
zone uncontrolled.
0.5
mounting
base
November 1995
5
Rev 1.100
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BUX87P Silicon Diffused Power Transistor(硅擴(kuò)散功率型晶體管)
BUX88 QUAD CHANNEL HIGH SIDE DRIVER
BUXD87-1 TRANSISTOR | BJT | NPN | 450V V(BR)CEO | 500MA I(C) | TO-251
BUXD87T4 TRANSISTOR | BJT | NPN | 450V V(BR)CEO | 500MA I(C) | TO-252
BUY12 QUAD CHANNEL HIGH SIDE DRIVER
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BUX86P,127 功能描述:兩極晶體管 - BJT BUX86P/SOT82/RAILH// RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BUX86P 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR NPN SOT-82
BUX86P/B 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR HOCHSPANNUNG BIPOLAR
BUX87 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN High Volt Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BUX87-1100 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Silicon Diffused Power Transistor
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