參數(shù)資料
型號： BUX86P
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Silicon Diffused Power Transistor(硅擴(kuò)散功率型晶體管)
中文描述： 0.5 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： PLASTIC, SOT-82, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/6頁
文件大?。?/td> 50K
代理商： BUX86P
Philips Semiconductors
Product specification
Silicon Diffused Power Transistor
BUX86P
BUX87P
Fig.1. Test circuit resistive load. V
= -6 to +8 V
V
= 250 V; tp = 20
μ
s;
δ
= tp / T = 0.01.
R
B
and R
L
calculated from I
Con
and I
Bon
requirements.
Fig.2. Switching times waveforms with resistive load.
Fig.3. Normalised power dissipation.
PD% = 100
PD/PD
25 C
= f (T
mb
)
Fig.4. Transient thermal impedance.
Z
th j-mb
= f(t); parameter D = t
p
/T
Fig.5. Typical base-emitter saturation voltage.
V
BEsat
= f(I
B
); parameter I
C
Fig.6. Typical collector-emitter saturation voltage.
V
CEsat
= f(I
B
); parameter I
C
tp
T
VCC
R
R
T.U.T.
0
VIM
B
L
1.0E-06
0.0001
0.01
1
0.01
0.1
1
10
0
0.2
0.1
0.05
0.02
0.5
Zth / (K/W)
bux86p
t / s
D=
D =
tp
T
T
P
D
t
t
p
IC
IB
10 %
10 %
90 %
90 %
ton
toff
ts
tf
IBon
-IBoff
ICon
tr
30ns
0
5
10
15
20
0.6
0.7
0.8
0.9
VBESAT / V
BUX86P
IB / mA
IC =
0.2 A
0.1 A
50 mA
0
20
40
60
80
100
120
140
Tmb / C
PD%
Normalised Power Derating
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
5
10
15
20
25
30
0
2
4
6
8
10
IB / mA
VCESAT / V
BUX86P
IC =
50 mA
0.1 A
0.2 A
November 1995
3
Rev 1.100
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BUX87P Silicon Diffused Power Transistor(硅擴(kuò)散功率型晶體管)
BUX88 QUAD CHANNEL HIGH SIDE DRIVER
BUXD87-1 TRANSISTOR | BJT | NPN | 450V V(BR)CEO | 500MA I(C) | TO-251
BUXD87T4 TRANSISTOR | BJT | NPN | 450V V(BR)CEO | 500MA I(C) | TO-252
BUY12 QUAD CHANNEL HIGH SIDE DRIVER
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參數(shù)描述
BUX86P,127 功能描述:兩極晶體管 - BJT BUX86P/SOT82/RAILH// RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BUX86P 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR NPN SOT-82
BUX86P/B 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR HOCHSPANNUNG BIPOLAR
BUX87 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN High Volt Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BUX87-1100 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Silicon Diffused Power Transistor
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