參數(shù)資料
型號： BUX86P
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Silicon Diffused Power Transistor(硅擴(kuò)散功率型晶體管)
中文描述： 0.5 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： PLASTIC, SOT-82, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/6頁
文件大小： 50K
代理商： BUX86P
Philips Semiconductors
Product specification
Silicon Diffused Power Transistor
BUX86P
BUX87P
THERMAL RESISTANCES
SYMBOL
R
th j-mb
R
th j-a
PARAMETER
Junction to mounting base
Junction to ambient
CONDITIONS
TYP.
-
100
MAX.
3
-
UNIT
K/W
K/W
in free air
STATIC CHARACTERISTICS
T
mb
= 25 C unless otherwise specified
SYMBOL
PARAMETER
I
CES
I
CES
CONDITIONS
V
BE
= 0 V; V
CE
= V
CESMmax
V
BE
= 0 V; V
CE
= V
CESMmax
;
T
j
V
= 5 V; I
C
= 0 A
MIN.
-
-
TYP.
-
-
MAX.
100
1.0
UNIT
μ
A
mA
I
EBO
V
CEsat
V
CEsat
V
BEsat
h
FE
V
CEOsust
Emitter cut-off current
Collector-emitter saturation voltages I
C
= 0.1 A; I
B
= 10 mA
-
-
-
-
-
-
-
-
1
mA
V
V
V
0.8
1
1
125
-
-
I
C
= 0.2 A; I
B
= 20 mA
I
C
= 0.2 A; I
= 20 mA
I
C
= 50 mA; V
CE
= 5 V
I
C
= 100 mA;
I
Boff
= 0; L = 25 mH
Base-emitter saturation voltage
DC current gain
Collector-emitter sustaining voltage
26
400
450
50
-
-
BUX86P
BUX87P
V
V
DYNAMIC CHARACTERISTICS
T
mb
= 25 C unless otherwise specified
SYMBOL
PARAMETER
Switching times (resistive load).
CONDITIONS
I
C
= 0.2 A; I
Bon
= 20 mA; -I
Boff
= 40 mA;
V
CC
= 250 V
TYP.
MAX.
UNIT
t
on
t
s
t
f
t
f
Turn-on time
Turn-off storage time
Turn-off fall time
Turn-off fall time
0.25
2
0.28
-
0.5
3.5
-
1.3
μ
s
μ
s
μ
s
μ
s
T
mb
= 95 C
November 1995
2
Rev 1.100
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BUX87P Silicon Diffused Power Transistor(硅擴(kuò)散功率型晶體管)
BUX88 QUAD CHANNEL HIGH SIDE DRIVER
BUXD87-1 TRANSISTOR | BJT | NPN | 450V V(BR)CEO | 500MA I(C) | TO-251
BUXD87T4 TRANSISTOR | BJT | NPN | 450V V(BR)CEO | 500MA I(C) | TO-252
BUY12 QUAD CHANNEL HIGH SIDE DRIVER
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BUX86P,127 功能描述:兩極晶體管 - BJT BUX86P/SOT82/RAILH// RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BUX86P 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR NPN SOT-82
BUX86P/B 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR HOCHSPANNUNG BIPOLAR
BUX87 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN High Volt Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BUX87-1100 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Silicon Diffused Power Transistor
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