參數(shù)資料
型號(hào)： BUW85
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Silicon diffused power transistors
中文描述： 2 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： PLASTIC PACKAGE-3
文件頁(yè)數(shù)： 8/12頁(yè)
文件大?。?/td> 94K
代理商： BUW85
1997 Aug 14
7
Philips Semiconductors
Product specification
Silicon diffused power transistors
BUW84; BUW85
Fig.8 Power derating curve.
handbook, halfpage
0
50
Tmb (
o
C)
100
150
0
40
80
MGD283
Ptot max
(%)
Fig.9
Base-emitter saturation voltage as a
function of emitter current; typical values.
T
j
= 25
°
C.
(1) I
C
= 1 A.
(2) I
C
= 0.5 A.
(3) I
C
= 0.3 A.
handbook, halfpage
0
300
0.5
MGB904
0.75
100
200
VBEsat
(V)
IB (mA)
(2)
(3)
(1)
Fig.10 DC current gain; typical values.
handbook, halfpage
10
2
10
1
1
2
10
1
hFE
IC (A)
10
MGB879
typ
Fig.11 Switching time waveforms with
resistive load.
handbook, halfpage
MBB731
t
90%
10%
90%
10%
IC
IB
IB on
IB off
IC on
tr
≤
30 ns
ts
tf
ton
t
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BUX37 15 AMPERE NPN MONOLITHIC DARLINGTON POWER TRANSISTOR
BUX84S NPN high voltage Power transistor
BY329-1500 Triac; Thyristor Type:Snubberless; Peak Repetitive Off-State Voltage, Vdrm:400V; On State RMS Current, IT(rms):6A; Gate Trigger Current (QI), Igt:35mA; Current, It av:6A; Gate Trigger Current Max, Igt:35mA RoHS Compliant: Yes
BY329-1500S Triac; Thyristor Type:Logic Level; Peak Repetitive Off-State Voltage, Vdrm:400V; On State RMS Current, IT(rms):6A; Gate Trigger Current (QI), Igt:5mA; Current, It av:6A; Gate Trigger Current Max, Igt:5mA RoHS Compliant: Yes
BY329-1700S Triac; Thyristor Type:Snubberless; Peak Repetitive Off-State Voltage, Vdrm:600V; On State RMS Current, IT(rms):6A; Gate Trigger Current (QI), Igt:50mA; Current, It av:6A; Gate Trigger Current Max, Igt:50mA RoHS Compliant: Yes
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BUW87A 制造商:ISC 制造商全稱:Inchange Semiconductor Company Limited 功能描述:isc Silicon NPN Power Transistor
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