參數(shù)資料
型號： BUW85
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Silicon diffused power transistors
中文描述： 2 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： PLASTIC PACKAGE-3
文件頁數(shù)： 10/12頁
文件大?。?/td> 94K
代理商： BUW85
1997 Aug 14
9
Philips Semiconductors
Product specification
Silicon diffused power transistors
BUW84; BUW85
PACKAGE OUTLINE
REFERENCES
OUTLINE
VERSION
EUROPEAN
PROJECTION
ISSUE DATE
IEC
JEDEC
EIAJ
Note
1. Terminal dimensions within this zone are uncontrolled to allow for body and terminal irregularities.
SOT82
97-06-11
0
2.5
5 mm
scale
Plastic single-ended package; 3 leads (in-line)
SOT82
D
L1
q
E
A
P
L
Q
3
2
1
c
e1
e
b
UNIT
D
b
E
e
w
q
Q
P
L
c
L1
(1)
e1
0.254
DIMENSIONS (mm are the original dimensions)
A
4.58
mm
2.8
2.3
0.88
0.65
0.58
0.47
11.1
10.5
7.8
7.2
2.29
16.5
15.3
2.54
1.5
0.9
3.9
3.5
3.1
2.5
w
M
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PDF描述
BUX37 15 AMPERE NPN MONOLITHIC DARLINGTON POWER TRANSISTOR
BUX84S NPN high voltage Power transistor
BY329-1500 Triac; Thyristor Type:Snubberless; Peak Repetitive Off-State Voltage, Vdrm:400V; On State RMS Current, IT(rms):6A; Gate Trigger Current (QI), Igt:35mA; Current, It av:6A; Gate Trigger Current Max, Igt:35mA RoHS Compliant: Yes
BY329-1500S Triac; Thyristor Type:Logic Level; Peak Repetitive Off-State Voltage, Vdrm:400V; On State RMS Current, IT(rms):6A; Gate Trigger Current (QI), Igt:5mA; Current, It av:6A; Gate Trigger Current Max, Igt:5mA RoHS Compliant: Yes
BY329-1700S Triac; Thyristor Type:Snubberless; Peak Repetitive Off-State Voltage, Vdrm:600V; On State RMS Current, IT(rms):6A; Gate Trigger Current (QI), Igt:50mA; Current, It av:6A; Gate Trigger Current Max, Igt:50mA RoHS Compliant: Yes
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