參數(shù)資料
型號(hào)： BUT11APX-1200
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： 功率晶體管
英文描述： NPN power transistor
封裝： BUT11APX-1200<SOT186A (TO-220F)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT186A.html<1<week 32, 2004,;
文件頁(yè)數(shù)： 6/9頁(yè)
文件大?。?/td> 119K
代理商： BUT11APX-1200
Semiconductors
Product specification
Silicon Diffused Power Transistor
BUT11APX-1200
Fig.13. Reverse bias safe operating area. T
j
≤
T
j max
Fig.14. Test circuit for reverse bias safe operating
area.
V
cl
≤
1200V; V
cc
= 150V; V
BB
= -5V; L
B
= 1
μ
H;L
c
=
200
μ
H
0
200
400
600
800
1,000
1,200
1,400
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
IC (A)
VCEclamp (V)
LB
IBon
-VBB
LC
T.U.T.
VCC
PROBE POINT
VCL(RBSOAR)
April 1999
5
Rev 1.000
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PDF描述
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參數(shù)描述
BUT11APX-1200,127 功能描述:兩極晶體管 - BJT BUT11APX-1200/SOT186A/RAILH// RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BUT11ATU 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Si Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BUT11AX 制造商:ISC 制造商全稱:Inchange Semiconductor Company Limited 功能描述:isc Silicon NPN Power Transistor
BUT11AX,127 功能描述:兩極晶體管 - BJT BUT11AX/SOT186A/RAILH// RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BUT11F 制造商:SAVANTIC 制造商全稱:Savantic, Inc. 功能描述:Silicon NPN Power Transistors
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