| 型號(hào): | BUT11APX-1200 | 
| 廠商: | NXP Semiconductors N.V. | 
| 元件分類: | 功率晶體管 | 
| 英文描述: | NPN power transistor | 
| 封裝: | BUT11APX-1200<SOT186A (TO-220F)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT186A.html<1<week 32, 2004,; | 
| 文件頁數(shù): | 4/9頁 | 
| 文件大小: | 119K | 
| 代理商: | BUT11APX-1200 | 

| 相關(guān)PDF資料 | PDF描述 | 
|---|---|
| BUT12A | SILICON DIFFUSED POWER TRANSISTOR(GENERAL DESCRIPTION) | 
| BUT56A | NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR(HIGH VOLTAGE SWITCHING USE IN HORIZONTAL DEFLECTION OUTPUT STAGE) | 
| BUT56A | POWER TRANSISTORS | 
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| BUV22 | Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 Metal Package | 
| 相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) | 參數(shù)描述 | 
|---|---|
| BUT11APX-1200,127 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BUT11APX-1200/SOT186A/RAILH// RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 | 
| BUT11ATU | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Si Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 | 
| BUT11AX | 制造商:ISC 制造商全稱:Inchange Semiconductor Company Limited 功能描述:isc Silicon NPN Power Transistor | 
| BUT11AX,127 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BUT11AX/SOT186A/RAILH// RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 | 
| BUT11F | 制造商:SAVANTIC 制造商全稱:Savantic, Inc. 功能描述:Silicon NPN Power Transistors |