參數(shù)資料
型號(hào)： BUT11
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Silicon Diffused Power Transistor(硅擴(kuò)散功率型晶體管)
中文描述： 5 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
封裝： PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN
文件頁數(shù)： 7/12頁
文件大?。?/td> 96K
代理商： BUT11
1997 Aug 13
6
Philips Semiconductors
Product specification
Silicon diffused power transistors
BUT11; BUT11A
Fig.8 Base-emitter voltage as a function of base current.
handbook, full pagewidth
1.5
IB (A)
1.4
0.8
0
VBE
(V)
0.25
1.25
MGB910
1.2
1.0
1.0
0.5
0.75
(1)
(2)
(3)
T
j
= 25
°
C.
(1) I
C
= 5 A.
(2) I
C
= 3 A.
(3) I
C
= 1.5 A.
Fig.9
Collector-emitter saturation voltage as a
function of base current.
(1) I
C
= 1.5 A.
(2) I
C
= 3 A.
(3) I
C
= 5 A.
T
j
= 25
°
C; solid line: typical values; dotted line: maximum values.
handbook, halfpage
10
2
10
1
10
1
1
1
VCEsat
(V)
IB (A)
10
MGB873
(1)
(2)
(3)
Fig.10 DC current gain; typical values.
handbook, halfpage
MBC095
IC (A)
10
2
10
1
1
10
10
2
10
hFE
1
1V
VCE = 5 V
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PDF描述
BUT12AI Silicon Diffused Power Transistor(硅擴(kuò)散功率型晶體管)
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參數(shù)描述
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BUT11A,127 功能描述:兩極晶體管 - BJT BUT11A/SOT78/RAILH// RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BUT11A 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR NPN TO-220AB
BUT11A/B 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR HOCHSPANNUNG BIPOLAR
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