參數(shù)資料
型號： BUT11
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Silicon Diffused Power Transistor(硅擴散功率型晶體管)
中文描述： 5 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
封裝： PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/12頁
文件大?。?/td> 96K
代理商： BUT11
1997 Aug 13
2
Philips Semiconductors
Product specification
Silicon diffused power transistors
BUT11; BUT11A
LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134).
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
UNIT
V
CESM
collector-emitter peak voltage
BUT11
BUT11A
collector-emitter voltage
BUT11
BUT11A
collector current (DC)
collector current (peak value)
base current (DC)
base current (peak value)
total power dissipation
storage temperature
junction temperature
V
BE
= 0
850
1000
V
V
V
CEO
open base
65
400
450
5
10
2
4
100
+150
150
V
V
A
A
A
A
W
°
C
°
C
I
C
I
CM
I
B
I
BM
P
tot
T
stg
T
j
see Figs 2 and 4
t
p
< 2 ms; see Fig. 4
t
p
< 2 ms
T
mb
≤
25
°
C; see Fig.3
Fig.2 Reverse bias SOAR.
handbook, halfpage
(A)
0
400
1200
VCE (V)
0
MGB895
800
(2)
1
2
3
4
(1)
(1) BUT11.
(2) BUT11A.
Fig.3 Power derating curve.
handbook, halfpage
0
50
Tmb (
o
C)
100
150
0
40
80
MGD283
Ptot max
(%)
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PDF描述
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