參數(shù)資料
型號： BUT11
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Silicon Diffused Power Transistor(硅擴散功率型晶體管)
中文描述： 5 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
封裝： PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/12頁
文件大?。?/td> 96K
代理商： BUT11
1997 Aug 13
1
Philips Semiconductors
Product specification
Silicon diffused power transistors
BUT11; BUT11A
DESCRIPTION
High-voltage, high-speed,
glass-passivated NPN power
transistor in a TO-220AB package.
APPLICATIONS
Converters
Inverters
Switching regulators
Motor control systems.
PINNING
PIN
DESCRIPTION
1
2
base
collector; connected to
mounting base
emitter
3
andbook, halfpage
MBK106
1 2 3
Fig.1 Simplified outline (TO-220AB) and symbol.
handbook, halfpage
3
2
1
MBB008
QUICK REFERENCE DATA
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MAX.
UNIT
V
CESM
collector-emitter peak voltage
BUT11
BUT11A
collector-emitter voltage
BUT11
BUT11A
collector-emitter saturation voltage
collector current (DC)
collector current (peak value)
total power dissipation
fall time
V
BE
= 0
850
1000
V
V
V
CEO
open base
400
450
1.5
5
10
100
0.8
V
V
V
A
A
W
μ
s
V
CEsat
I
C
I
CM
P
tot
t
f
see Figs 7 and 9
see Figs 2 and 4
see Fig. 4
T
mb
≤
25
°
C; see Fig.3
resistive load; see Figs 11 and 12
THERMAL CHARACTERISTICS
SYMBOL
PARAMETER
VALUE
UNIT
R
th j-mb
thermal resistance from junction to mounting base
1.25
K/W
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BUT11A 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Si Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BUT11A,127 功能描述:兩極晶體管 - BJT BUT11A/SOT78/RAILH// RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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