參數(shù)資料
型號： BUK9775-56
廠商： NXP Semiconductors N.V.
英文描述： TrenchMOS（TM）transistor Logic level FET(TrenchMOS（TM）晶體管邏輯電平FET)
中文描述： TrenchMOS（商標）場效應晶體管邏輯電平（TrenchMOS（商標）晶體管邏輯電平場效應管）
文件頁數(shù)： 6/8頁
文件大?。?/td> 68K
代理商： BUK9775-56
Philips Semiconductors
Product specification
TrenchMOS
transistor
Logic level FET
BUK9775-55
Fig.13. Typical turn-on gate-charge characteristics.
V
GS
= f(Q
G
); conditions: I
D
= 20 A; parameter V
DS
Fig.14. Typical reverse diode current.
I
F
= f(V
SDS
); conditions: V
GS
= 0 V; parameter T
j
Fig.15. Normalised avalanche energy rating.
W
DSS
% = f(T
mb
); conditions: I
D
= 17 A
Fig.16. Avalanche energy test circuit.
W
DSS
=
0.5
LI
D
Fig.17. Switching test circuit.
0
2
4
6
8
10
12
0
1
2
3
4
5
6
VGS/V
QG/nC
VDS = 14V
VDS = 44V
20
40
60
80
Tmb / C
100
120
140
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
WDSS%
0
0.5
1
1.5
0
20
40
60
80
100
IF/A
VSDS/V
Tj/C =
150
25
L
T.U.T.
VDD
RGS
R 01
shunt
VDS
-ID/100
+
-
VGS
0
2
BV
DSS
/(
BV
DSS
V
DD
)
RD
T.U.T.
VDD
RG
VDS
+
-
VGS
0
April 1998
6
Rev 1.000
相關PDF資料
PDF描述
BUK9840-56 TrenchMOS（TM）transistor Logic level FET(TrenchMOS（TM）晶體管邏輯電平FET)
BUK9907-40ATC TrenchPLUS logic level FET
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