參數(shù)資料
型號： BUK9775-56
廠商： NXP Semiconductors N.V.
英文描述： TrenchMOS（TM）transistor Logic level FET(TrenchMOS（TM）晶體管邏輯電平FET)
中文描述： TrenchMOS（商標）場效應(yīng)晶體管邏輯電平（TrenchMOS（商標）晶體管邏輯電平場效應(yīng)管）
文件頁數(shù)： 4/8頁
文件大?。?/td> 68K
代理商： BUK9775-56
Philips Semiconductors
Product specification
TrenchMOS
transistor
Logic level FET
BUK9775-55
Fig.1. Normalised power dissipation.
PD% = 100
P
D
/P
D 25 C
= f(T
mb
)
Fig.2. Normalised continuous drain current.
ID% = 100
I
D
/I
D 25 C
= f(T
mb
); conditions: V
GS
≥
5 V
Fig.3. Safe operating area. T
= 25 C
I
D
& I
DM
= f(V
DS
); I
DM
single pulse; parameter t
p
Fig.4. Transient thermal impedance.
Z
th j-mb
= f(t); parameter D = t
p
/T
Fig.5. Typical output characteristics, T
j
= 25 C
I
D
= f(V
DS
); parameter V
GS
Fig.6. Typical on-state resistance, T
j
= 25 C
R
DS(ON)
= f(I
D
); parameter V
GS
0
20
40
60
80
100
120
140
Tmb / C
PD%
Normalised Power Derating
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
1.0E-06
0.0001
0.01
t/s
1
100
0.01
0.1
1
10Zth/ (K/W)
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0
D =
t
p
t
p
T
T
P
D
t
0
20
40
60
80
100
120
140
Tmb / C
ID%
Normalised Current Derating
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
2
4
6
8
10
0
10
20
30
40
50
ID/A
VDS/V
VGS/V =
10.0
8.0
5.0
4.8
4.6
4.4
4.2
4.0
3.8
3.6
3.4
3.2
3.0
2.8
2.6
2.4
5.4
1
10
100
0.1
1
10
100
ID/A
VDS/V
RDS(ON) = VDS/ID
DC
tp =
1 uS
10 uS
100uS
1 mS
10 mS
100 mS
5
10
15
20
25
55
60
65
70
75
80
85
90RDS(ON)/mOhm
VGS/V =
4
4.2
4.4
4.6
4.8
5
ID/A
April 1998
4
Rev 1.000
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BUK9840-56 TrenchMOS（TM）transistor Logic level FET(TrenchMOS（TM）晶體管邏輯電平FET)
BUK9907-40ATC TrenchPLUS logic level FET
BUK993-60A TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 18A I(D) | SOT-263
BUK995-60A TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 34A I(D) | SOT-263
BUK9L06-55B TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 75A I(D) | TO-220AB
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參數(shù)描述
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BUK98150-55A 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N CH 55V 5.5A SOT223 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET, N CH 55V 5.5A SOT223
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