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參數(shù)資料
| 型號： | BUK866-400 IZ |
| 廠商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 英文描述： | Insulated Gate Bipolar Transistor Protected Logic-Level IGBT(帶邏輯電平保護(hù)的絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）) |
| 中文描述： | 絕緣柵雙極晶體管保護(hù)邏輯電平IGBT的（帶邏輯電平保護(hù)的絕緣柵雙極型晶體管（IGBT的）） |
| 文件頁數(shù)： | 4/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 92K |
| 代理商： | BUK866-400 IZ |
Philips Semiconductors
Product specification
Insulated Gate Bipolar Transistor
Protected Logic-Level IGBT
BUK866-400 IZ
Fig.7. Typical Output Characteristics
I
C
= f(V
CE
); parameter V
GE
; conditions: T
j
= 25C
Fig.8. Typical Transfer Characteristics
I
C
= f(V
GE
), parameter T
j
; conditions: V
CE
= 10 V
Fig.9. Typical Forward Transconductance
g
fe
= f(I
C
); parameter T
j;
conditions: V
CE
= 10 V
Fig.10. Typical gate-emitter charcteristics
I
GES
= f(V
GE
); conditions: V
CE
= 0 V; T
j
= 25C
Fig.11. Typical collector clamp characteristics
I
CES
= f(V
CE
); parameter T
j;
conditions: V
GE
= 0 V
Fig.12. Gate Threshold Voltage
V
GE(TO)
= f(T
j
); conditions: I
C
= 1 mA; V
CE
=
V
GE
PMG35A
VGE / V = 4
5
4
0
2
4
6
8
10
VCE / V
IC / A
30
20
10
0
2
2.2
2.4
2.6
2.8
3
0
10
20
VGE / V
+/- IGES / A
PMG35A
1E-2
1E-3
IE-4
1E-5
1E-6
1E-7
1E-8
1E-9
5
15
0
1
2
3
4
VGE / V
IC / A
PMG35A
30
20
10
0
Tj / C =
150
25
-40
350
370
390
410
430
450
VCE / V
ICES / mA
PMG35A
10
1
0.1
Tj / C =
150
25
-40
0
IC / A
gfe / S
PMG35A
35
30
25
20
15
10
5
0
10
20
30
Tj / C =
150
25
-40
-40 -20
0
20
40
60
80
100 120 140
Tj / C
VGE(TO) / V
2.5
2
1.5
1
0.5
max.
typ.
min.
BUK856-400IZ
September 1998
4
Rev. 1.200
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PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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