參數(shù)資料
型號： BUK6E4R0-75C
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： N-channel TrenchMOS FET
中文描述： 120 A, 75 V, 0.006 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA
封裝： PLASTIC, TO-262, I2PAK-3
文件頁數(shù)： 8/14頁
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代理商： BUK6E4R0-75C
BUK6E4R0-75C
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Product data sheet
Rev. 02 — 30 August 2010
8 of 14
NXP Semiconductors
BUK6E4R0-75C
N-channel TrenchMOS FET
Fig 9.
Sub-threshold drain current as a function of
gate-source voltage
Fig 10. Gate-source threshold voltage as a function of
junction temperature
T
j
= 25 °C; t
p
= 300
μ
s
Fig 11. Drain-source on-state resistance as a function
of drain current; typical values
Fig 12. Normalized drain-source on-state resistance
factor as a function of junction temperature
003aad806
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
I
D
(A)
0
1
2
3
4
V
GS
(V)
max
typ
min
003aae542
0
1
2
3
4
-60
0
60
120
180
T
j
(
°
C)
V
GS(th)
(V)
max @1mA
typ @1mA
min @2.5mA
003aae381
3.8
0
4
8
12
0
40
80
120
I
D
(A)
R
DSon
(m
Ω
)
10
4.5
3.4
V
GS
(V) =
5.0
4.0
3.6
003aad804
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
-60
0
60
120
180
T
j
(
°
C)
a
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PDF描述
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