參數(shù)資料
型號： BUK6E4R0-75C
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： N-channel TrenchMOS FET
中文描述： 120 A, 75 V, 0.006 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA
封裝： PLASTIC, TO-262, I2PAK-3
文件頁數(shù)： 10/14頁
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代理商： BUK6E4R0-75C
BUK6E4R0-75C
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Product data sheet
Rev. 02 — 30 August 2010
10 of 14
NXP Semiconductors
BUK6E4R0-75C
N-channel TrenchMOS FET
7.
Package outline
Fig 17. Package outline SOT226 (I2PAK)
REFERENCES
OUTLINE
VERSION
EUROPEAN
PROJECTION
ISSUE DATE
IEC
JEDEC
JEITA
SOT226
TO-262
D
D
1
L
1
2
3
L
1
mounting
base
b
1
e
e
Q
b
0
5
10 mm
scale
Plastic single-ended package (I2PAK); low-profile 3-lead TO-262
SOT226
DIMENSIONS (mm are the original dimensions)
A
E
A
1
c
UNIT
A
1
b
1
D
1
e
Q
mm
2.54
L
1
2.6
2.2
3.30
2.79
15.0
13.5
10.3
9.7
1.6
1.2
11
0.7
0.4
1.3
1.0
0.85
0.60
1.40
1.27
4.5
4.1
A
b
D
max
c
E
L
06-02-14
09-08-25
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BUK7105-40ATE N-channel TrenchPLUS standard level FET
BUK7107-40ATC N-channel TrenchPLUS standard level FET
BUK7108-40AIE N-channel TrenchPLUS standard level FET
BUK714R1-40BT N-channel TrenchPLUS standard level FET
BUK7207-30B N-channel TrenchMOS standard level FET
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參數(shù)描述
BUK6E4R0-75C,127 功能描述:MOSFET N-CHANNEL TRENCHMOS FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
BUK7105-40AIE 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Cut Tape 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Trans MOSFET N-CH 40V 155A 5-Pin(4+Tab) D2PAK
BUK7105-40AIE /T3 功能描述:MOSFET TRENCHPLUS MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
BUK7105-40AIE,118 功能描述:MOSFET TRENCHPLUS MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
BUK7105-40ATE 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:TrenchPLUS standard level FET
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