參數(shù)資料
型號： BUK6E4R0-75C
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： N-channel TrenchMOS FET
中文描述： 120 A, 75 V, 0.006 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA
封裝： PLASTIC, TO-262, I2PAK-3
文件頁數(shù)： 4/14頁
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代理商： BUK6E4R0-75C
BUK6E4R0-75C
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Product data sheet
Rev. 02 — 30 August 2010
4 of 14
NXP Semiconductors
BUK6E4R0-75C
N-channel TrenchMOS FET
Fig 1.
Continuous drain current as a function of
mounting base temperature
Fig 2.
Normalized total power dissipation as a
function of mounting base temperature
Fig 3.
Safe operating area; continuous and peak drain currents as a function of drain-source voltage
003aae374
0
50
100
150
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V
DS
(V)
I
D
(A)
Limit R
DSon
= V
DS
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DC
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10 ms
1 ms
100
μ
s
t
p
=10
μ
s
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PDF描述
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BUK7105-40ATE 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:TrenchPLUS standard level FET
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