參數(shù)資料
型號： BUK6E2R0-30C
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： N-channel TrenchMOS intermediate level FET
中文描述： 120 A, 30 V, 0.0037 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA
封裝： PLASTIC, TO-262, I2PAK-3
文件頁數(shù)： 9/15頁
文件大?。?/td> 181K
代理商： BUK6E2R0-30C
BUK6E2R0-30C
All information provided in this document is subject to legal disclaimers.
NXP B.V. 2010. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 02 — 7 September 2010
9 of 15
NXP Semiconductors
BUK6E2R0-30C
N-channel TrenchMOS intermediate level FET
Fig 13. Gate-source voltage as a function of gate
charge; typical values
Fig 14. Input, output and reverse transfer capacitance
as a function of drain-source voltage; typical
values
Fig 15. Source (diode forward) current as a function of source-drain (diode forward) voltage; typical values
003aae241
0
2
4
6
8
10
0
60
120
180
240
Q
G
(nC)
V
GS
(V)
V
DS
= 24V
14V
003aae009
10
2
10
3
10
4
10
5
10
-1
1
10
10
2
V
DS
(V)
C
(pF)
C
iss
C
oss
C
rss
V
SD
(V)
0
1.2
0.9
0.3
0.6
001aal534
40
60
20
80
100
I
S
(A)
0
T
j
= 175
°
C
T
j
= 25
°
C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BUK6E2R3-40C N-channel TrenchMOS intermediate level FET
BUK6E3R2-55C N-channel TrenchMOS intermediate level FET
BUK6E3R4-40C N-channel TrenchMOS intermediate level FET
BUK6E4R0-75C N-channel TrenchMOS FET
BUK7105-40ATE N-channel TrenchPLUS standard level FET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BUK6E2R0-30C,127 功能描述:MOSFET N-CHAN 30V 120A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
BUK6E2R3-40C 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFETN CH40V120ASOT226 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET,N CH,40V,120A,SOT226 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET,N CH,40V,120A,SOT226, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:120A, Drain Source Voltage Vds:40V, On Resistance Rds(on):2mohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:2.3V, No. of Pins:3, MSL:- , RoHS Compliant: Yes
BUK6E2R3-40C,127 功能描述:MOSFET N-CHAN 40V 120A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
BUK6E3R2-55C 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFETN CH55V120ASOT226 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET,N CH,55V,120A,SOT226 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET,N CH,55V,120A,SOT226, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Cur
BUK6E3R2-55C,127 功能描述:MOSFET N-CHAN 55V 120A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*