參數(shù)資料
型號： BUK6E2R0-30C
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： N-channel TrenchMOS intermediate level FET
中文描述： 120 A, 30 V, 0.0037 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA
封裝： PLASTIC, TO-262, I2PAK-3
文件頁數(shù)： 11/15頁
文件大?。?/td> 181K
代理商： BUK6E2R0-30C
BUK6E2R0-30C
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Product data sheet
Rev. 02 — 7 September 2010
11 of 15
NXP Semiconductors
BUK6E2R0-30C
N-channel TrenchMOS intermediate level FET
7.
Package outline
Fig 17. Package outline SOT226 (I2PAK)
REFERENCES
OUTLINE
VERSION
EUROPEAN
PROJECTION
ISSUE DATE
IEC
JEDEC
JEITA
SOT226
TO-262
D
D
1
L
1
2
3
L
1
mounting
base
b
1
e
e
Q
b
0
5
10 mm
scale
Plastic single-ended package (I2PAK); low-profile 3-lead TO-262
SOT226
DIMENSIONS (mm are the original dimensions)
A
E
A
1
c
UNIT
A
1
b
1
D
1
e
Q
mm
2.54
L
1
2.6
2.2
3.30
2.79
15.0
13.5
10.3
9.7
1.6
1.2
11
0.7
0.4
1.3
1.0
0.85
0.60
1.40
1.27
4.5
4.1
A
b
D
max
c
E
L
06-02-14
09-08-25
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BUK6E2R3-40C N-channel TrenchMOS intermediate level FET
BUK6E3R2-55C N-channel TrenchMOS intermediate level FET
BUK6E3R4-40C N-channel TrenchMOS intermediate level FET
BUK6E4R0-75C N-channel TrenchMOS FET
BUK7105-40ATE N-channel TrenchPLUS standard level FET
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參數(shù)描述
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BUK6E2R3-40C 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFETN CH40V120ASOT226 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET,N CH,40V,120A,SOT226 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET,N CH,40V,120A,SOT226, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:120A, Drain Source Voltage Vds:40V, On Resistance Rds(on):2mohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:2.3V, No. of Pins:3, MSL:- , RoHS Compliant: Yes
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