參數(shù)資料
型號(hào)： BUK6E2R0-30C
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： N-channel TrenchMOS intermediate level FET
中文描述： 120 A, 30 V, 0.0037 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA
封裝： PLASTIC, TO-262, I2PAK-3
文件頁(yè)數(shù)： 12/15頁(yè)
文件大?。?/td> 181K
代理商： BUK6E2R0-30C
BUK6E2R0-30C
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Product data sheet
Rev. 02 — 7 September 2010
12 of 15
NXP Semiconductors
BUK6E2R0-30C
N-channel TrenchMOS intermediate level FET
8.
Revision history
Table 7.
Document ID
BUK6E2R0-30C v.2
Modifications:
BUK6E2R0-30C v.1
Revision history
Release date
20100907
Various changes to content.
20100824
Data sheet status
Product data sheet
Change notice
-
Supersedes
BUK6E2R0-30C v.1
Product data sheet
-
-
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BUK6E2R3-40C N-channel TrenchMOS intermediate level FET
BUK6E3R2-55C N-channel TrenchMOS intermediate level FET
BUK6E3R4-40C N-channel TrenchMOS intermediate level FET
BUK6E4R0-75C N-channel TrenchMOS FET
BUK7105-40ATE N-channel TrenchPLUS standard level FET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BUK6E2R0-30C,127 功能描述:MOSFET N-CHAN 30V 120A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
BUK6E2R3-40C 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFETN CH40V120ASOT226 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET,N CH,40V,120A,SOT226 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET,N CH,40V,120A,SOT226, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:120A, Drain Source Voltage Vds:40V, On Resistance Rds(on):2mohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:2.3V, No. of Pins:3, MSL:- , RoHS Compliant: Yes
BUK6E2R3-40C,127 功能描述:MOSFET N-CHAN 40V 120A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
BUK6E3R2-55C 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFETN CH55V120ASOT226 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET,N CH,55V,120A,SOT226 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET,N CH,55V,120A,SOT226, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Cur
BUK6E3R2-55C,127 功能描述:MOSFET N-CHAN 55V 120A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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