參數資料
型號： BUK6E2R0-30C
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： N-channel TrenchMOS intermediate level FET
中文描述： 120 A, 30 V, 0.0037 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA
封裝： PLASTIC, TO-262, I2PAK-3
文件頁數： 5/15頁
文件大小： 181K
代理商： BUK6E2R0-30C
BUK6E2R0-30C
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Product data sheet
Rev. 02 — 7 September 2010
5 of 15
NXP Semiconductors
BUK6E2R0-30C
N-channel TrenchMOS intermediate level FET
5.
Thermal characteristics
Table 5.
Symbol
R
th(j-mb)
Thermal characteristics
Parameter
thermal resistance from junction
to mounting base
thermal resistance from junction
to ambient
Conditions
see
Figure 4
Min
-
Typ
-
Max
0.49
Unit
K/W
R
th(j-a)
vertical in free air
-
50
-
K/W
Fig 4.
Transient thermal impedance from junction to mounting base as a function of pulse duration
003aae269
single shot
δ
= 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
10
-3
10
-2
10
-1
1
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1
t
p
(s)
Z
th(j-mb)
(K/W)
t
p
T
P
t
t
p
T
δ
=
相關PDF資料
PDF描述
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BUK6E3R2-55C N-channel TrenchMOS intermediate level FET
BUK6E3R4-40C N-channel TrenchMOS intermediate level FET
BUK6E4R0-75C N-channel TrenchMOS FET
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相關代理商/技術參數
參數描述
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