參數(shù)資料
型號(hào)： BUK6C1R5-40C
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： N-channel TrenchMOS intermediate level FET
中文描述： 319 A, 40 V, 0.0021 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： PLASTIC, D2PAK-7
文件頁(yè)數(shù)： 8/13頁(yè)
文件大?。?/td> 205K
代理商： BUK6C1R5-40C
BUK6C1R5-40C
All information provided in this document is subject to legal disclaimers.
NXP B.V. 2011. All rights reserved.
Objective data sheet
Rev. 1 — 5 August 2011
8 of 13
NXP Semiconductors
BUK6C1R5-40C
N-channel TrenchMOS intermediate level FET
T
j
= 25 °C; I
D
= 180 A
Fig 13. Gate-source voltage as a function of gate
charge; typical values
Fig 14. Gate charge waveform definitions
V
GS
= 0 V
Fig 15. Input, output and reverse transfer capacitances
as a function of drain-source voltage; typical
values
Fig 16. Source (diode forward) current as a function of
source-drain (diode forward) voltage; typical
values
003aaf961
0
2
4
6
8
10
0
100
200
300
Q
G
(nC)
V
GS
(V)
V
DS
= 32V
14V
003aaa508
V
GS
V
GS(th)
Q
GS1
Q
GS2
Q
GD
V
DS
Q
G(tot)
I
D
Q
GS
V
GS(pl)
003aaf958
10
2
10
3
10
4
10
5
10
-1
1
10
10
2
V
DS
(V)
C
(pF)
C
iss
C
rss
C
oss
003aaf962
0
60
120
180
240
300
I
S
(A)
0
0.5
1
1.5
V
SD
(V)
T
j
= 25
°
C
T
j
= 175
°
C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BUK6E2R0-30C N-channel TrenchMOS intermediate level FET
BUK6E2R3-40C N-channel TrenchMOS intermediate level FET
BUK6E3R2-55C N-channel TrenchMOS intermediate level FET
BUK6E3R4-40C N-channel TrenchMOS intermediate level FET
BUK6E4R0-75C N-channel TrenchMOS FET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BUK6C2R1-55C 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N CH 55V 228A D2PAK 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET, N CH, 55V, 228A, D2PAK 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET, N CH, 55V, 228A, D2PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:228A; Drain Source Voltage Vds:55V; On Resistance Rds(on):0.0023ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:2.3V ;RoHS Compliant: Yes
BUK6C2R1-55C,118 功能描述:MOSFET N-chan TrenchMOS FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
BUK6C3R3-75C 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N CH 75V 181A D2PAK 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET, N CH, 75V, 181A, D2PAK 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET, N CH, 75V, 181A, D2PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:181A; Drain Source Voltage Vds:75V; On Resistance Rds(on):0.0034ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:2.3V ;RoHS Compliant: Yes
BUK6C3R3-75C,118 功能描述:MOSFET N-chan TrenchMOS FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
BUK6D43-40PX 功能描述:BUK6D43-40P SOT1220 SOT1220 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級(jí)，AEC-Q101，TrenchMOS? 零件狀態(tài):在售 FET 類型:P 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:14A（Tc） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.7V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:36nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:1260pF @ 20V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:15W（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:43 毫歐 @ 6A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:6-DFN2020MD（2x2） 封裝/外殼:6-UDFN 裸露焊盤 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*