參數(shù)資料
型號： BUK6C1R5-40C
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： N-channel TrenchMOS intermediate level FET
中文描述： 319 A, 40 V, 0.0021 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： PLASTIC, D2PAK-7
文件頁數(shù)： 6/13頁
文件大?。?/td> 205K
代理商： BUK6C1R5-40C
BUK6C1R5-40C
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Objective data sheet
Rev. 1 — 5 August 2011
6 of 13
NXP Semiconductors
BUK6C1R5-40C
N-channel TrenchMOS intermediate level FET
T
j
= 25 °C; t
p
= 300
μ
s
Fig 5.
Output characteristics: drain current as a
function of drain-source voltage; typical values
Fig 6.
Transfer characteristics: drain current as a
function of gate-source voltage; typical values
Fig 7.
Forward transconductance as a function of
drain current; typical values
Fig 8.
Drain-source on-state resistance as a function
of gate-source voltage; typical values
003aaf955
0
100
200
300
400
0
0.5
1
1.5
2
V
DS
(V)
I
D
(A)
3.8
4.0
4.5
5.0
6.0
10
V
GS
(V) =
3.4
3.6
003aaf956
0
60
120
180
240
300
0
2
4
6
V
GS
(V)
I
D
(A)
T
j
= 25
°
C
T
j
= 175
°
C
003aaf957
0
100
200
300
400
0
100
200
300
400
I
D
(A)
g
fs
(S)
003aaf960
0
1
2
3
4
5
0
5
10
15
20
V
GS
(V)
R
DSon
(m
Ω
)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BUK6E2R0-30C N-channel TrenchMOS intermediate level FET
BUK6E2R3-40C N-channel TrenchMOS intermediate level FET
BUK6E3R2-55C N-channel TrenchMOS intermediate level FET
BUK6E3R4-40C N-channel TrenchMOS intermediate level FET
BUK6E4R0-75C N-channel TrenchMOS FET
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參數(shù)描述
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BUK6C2R1-55C,118 功能描述:MOSFET N-chan TrenchMOS FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
BUK6C3R3-75C 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N CH 75V 181A D2PAK 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET, N CH, 75V, 181A, D2PAK 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET, N CH, 75V, 181A, D2PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:181A; Drain Source Voltage Vds:75V; On Resistance Rds(on):0.0034ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:2.3V ;RoHS Compliant: Yes
BUK6C3R3-75C,118 功能描述:MOSFET N-chan TrenchMOS FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
BUK6D43-40PX 功能描述:BUK6D43-40P SOT1220 SOT1220 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級，AEC-Q101，TrenchMOS? 零件狀態(tài):在售 FET 類型:P 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:14A（Tc） 驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.7V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:36nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:1260pF @ 20V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:15W（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:43 毫歐 @ 6A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:6-DFN2020MD（2x2） 封裝/外殼:6-UDFN 裸露焊盤 標準包裝:1
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