參數(shù)資料
型號： BUK6C1R5-40C
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： N-channel TrenchMOS intermediate level FET
中文描述： 319 A, 40 V, 0.0021 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： PLASTIC, D2PAK-7
文件頁數(shù)： 5/13頁
文件大?。?/td> 205K
代理商： BUK6C1R5-40C
BUK6C1R5-40C
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Objective data sheet
Rev. 1 — 5 August 2011
5 of 13
NXP Semiconductors
BUK6C1R5-40C
N-channel TrenchMOS intermediate level FET
6.
Characteristics
Table 6.
Symbol
Static characteristics
V
(BR)DSS
Characteristics
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
drain-source
breakdown voltage
I
D
= 250 μA; V
GS
= 0 V; T
j
= 25 °C
I
D
= 250 μA; V
GS
= 0 V; T
j
= -55 °C
I
D
= 1 mA; V
DS
= V
GS
; T
j
= 25 °C;
see
Figure 9
; see
Figure 10
I
D
= 2.5 mA; V
DS
= V
GS
; T
j
= 175 °C;
see
Figure 10
I
D
= 1 mA; V
DS
= V
GS
; T
j
= -55 °C;
see
Figure 10
V
DS
= 40 V; V
GS
= 0 V; T
j
= 25 °C
V
DS
= 40 V; V
GS
= 0 V; T
j
= 175 °C
V
GS
= 20 V; V
DS
= 0 V; T
j
= 25 °C
V
GS
= -20 V; V
DS
= 0 V; T
j
= 25 °C
V
GS
= 10 V; I
D
= 90 A; T
j
= 25 °C;
see
Figure 11
V
GS
= 5 V; I
D
= 90 A; T
j
= 25 °C;
see
Figure 11
V
GS
10 V; I
D
= 90 A; T
j
= 175 °C;
see
Figure 11
; see
Figure 12
40
36
1.8
-
-
2.3
-
-
2.8
V
V
V
V
GS(th)
gate-source threshold
voltage
gate-source threshold
voltage
V
GSth
0.8
-
-
V
-
-
3.3
V
I
DSS
drain leakage current
-
-
-
-
-
0.04
-
2
2
1.15
1
500
100
100
1.4
μA
μA
nA
nA
m
I
GSS
gate leakage current
R
DSon
drain-source on-state
resistance
-
1.7
2.1
m
-
-
3
m
Dynamic characteristics
Q
G(tot)
total gate charge
I
D
= 180 A; V
DS
= 32 V; V
GS
= 10 V;
see
Figure 13
; see
Figure 14
I
D
= 180 A; V
DS
= 32 V; V
GS
= 5 V;
see
Figure 13
; see
Figure 14
I
D
= 180 A; V
DS
= 32 V; V
GS
= 10 V;
see
Figure 13
; see
Figure 14
-
254
-
nC
-
145
-
nC
Q
GS
Q
GD
C
iss
C
oss
C
rss
gate-source charge
gate-drain charge
input capacitance
output capacitance
reverse transfer
capacitance
turn-on delay time
rise time
turn-off delay time
fall time
-
-
-
-
-
40
80
11.3
1.45
1
-
-
15.1
1.75
1.4
nC
nC
nF
nF
nF
V
GS
= 0 V; V
DS
= 25 V; f = 1 MHz;
T
j
= 25 °C; see
Figure 15
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
Source-drain diode
V
SD
V
DS
= 20 V; R
L
= 0.2
; V
GS
= 10 V;
R
G(ext)
= 10
-
-
-
-
36
246
385
197
-
-
-
-
ns
ns
ns
ns
source-drain voltage
I
S
= 80 A; V
GS
= 0 V; T
j
= 25 °C;
see
Figure 16
I
S
= 50 A; dI
S
/dt = -100 A/μs; V
GS
= 0 V;
V
DS
= 20 V
-
0.8
1.2
V
t
rr
Q
r
reverse recovery time
recovered charge
-
-
52
82
-
-
ns
nC
相關PDF資料
PDF描述
BUK6E2R0-30C N-channel TrenchMOS intermediate level FET
BUK6E2R3-40C N-channel TrenchMOS intermediate level FET
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