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參數(shù)資料
| 型號： | BUK652R6-40C |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | N-channel TrenchMOS FET |
| 中文描述： | 100 A, 40 V, 0.0026 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 封裝： | PLASTIC, SC-46, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 14/14頁 |
| 文件大小： | 349K |
| 代理商： | BUK652R6-40C |
NXP Semiconductors
BUK652R6-40C
N-channel TrenchMOS FET
NXP B.V. 2010.
All rights reserved.
For more information, please visit: http://www.nxp.com
For sales office addresses, please send an email to: salesaddresses@nxp.com
Date of release: 16 December 2010
Document identifier: BUK652R6-40C
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described herein, have been included in section ‘Legal information’.
11. Contents
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1.1
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1.4
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9.1
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9.3
9.4
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Product profile . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .1
General description . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .1
Features and benefits. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .1
Applications . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .1
Quick reference data . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .1
Pinning information. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .2
Ordering information. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .2
Limiting values. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .3
Thermal characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . .5
Characteristics. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .6
Package outline . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .10
Revision history. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .11
Legal information. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .12
Data sheet status . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .12
Definitions. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .12
Disclaimers. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .12
Trademarks. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .13
Contact information. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .13
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BUK653R2-55C | N-channel TrenchMOS intermediate level FET |
| BUK653R3-30C | N-channel TrenchMOS intermediate level FET |
| BUK653R4-40C | N-channel TrenchMOS intermediate level FET |
| BUK653R5-55C | N-channel TrenchMOS intermediate level FET |
| BUK653R7-30C | N-channel TrenchMOS intermediate level FET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BUK652R6-40C,127 | 功能描述:MOSFET N-CHAN 40V 120A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| BUK652R7-30C | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFETN CH30V100ASOT78 |
| BUK652R7-30C,127 | 功能描述:MOSFET N-CHAN 30V 100A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| BUK653R2-55C | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFETN CH55V120ASOT78 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET,N CH,55V,120A,SOT78 |
| BUK653R2-55C,127 | 功能描述:MOSFET N-CHAN 55V 120A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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