參數(shù)資料
型號： BUK625R2-30C
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： N-channel TrenchMOS intermediate level FET
中文描述： POWER, FET
封裝： PLASTIC, DPAK, SC-63, 3 PIN
文件頁數(shù)： 5/14頁
文件大小： 172K
代理商： BUK625R2-30C
BUK625R2-30C
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Product data sheet
Rev. 1 — 12 July 2011
5 of 14
NXP Semiconductors
BUK625R2-30C
N-channel TrenchMOS intermediate level FET
5.
Thermal characteristics
Table 5.
Symbol
R
th(j-mb)
Thermal characteristics
Parameter
thermal resistance from junction to mounting base
Conditions
see
Figure 4
Min
-
Typ
-
Max
1.17
Unit
K/W
Fig 4.
Transient thermal impedance from junction to mounting base as a function of pulse duration
003aae742
single shot
δ
= 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
10
-3
10
-2
10
-1
1
10
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1
tp (s)
Zth(j-mb)
(K/W)
t
p
T
P
t
t
p
T
δ
=
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BUK626R2-40C N-channel TrenchMOS intermediate level FET
BUK6507-55C N-channel TrenchMOS logic and standard level FET
BUK6507-75C N-channel TrenchMOS FET
BUK6510-75C N-channel TrenchMOS FET
BUK652R0-30C N-channel TrenchMOS intermediate level FET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BUK625R2-30C,118 功能描述:MOSFET N-CH 30V 90A DPAK RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:* 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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BUK627-400A 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:N-Channel Enhancement MOSFET
BUK627-400B 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:N-Channel Enhancement MOSFET
BUK627-450B 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:N-Channel Enhancement MOSFET
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