參數(shù)資料
型號(hào)： BUK625R2-30C
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： N-channel TrenchMOS intermediate level FET
中文描述： POWER, FET
封裝： PLASTIC, DPAK, SC-63, 3 PIN
文件頁數(shù)： 4/14頁
文件大小： 172K
代理商： BUK625R2-30C
BUK625R2-30C
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Product data sheet
Rev. 1 — 12 July 2011
4 of 14
NXP Semiconductors
BUK625R2-30C
N-channel TrenchMOS intermediate level FET
Fig 1.
Continuous drain current as a function of
mounting base temperature
Fig 2.
Normalized total power dissipation as a
function of mounting base temperature
Fig 3.
Safe operating area; continuous and peak drain currents as a function of drain-source voltage
003aae741
0
20
40
60
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°
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1
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10
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V
DS
(V)
Limit R
DSon
= V
DS
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D
DC
100
μ
s
10 ms
t
p
=10
μ
s
100 ms
1 ms
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BUK626R2-40C N-channel TrenchMOS intermediate level FET
BUK6507-55C N-channel TrenchMOS logic and standard level FET
BUK6507-75C N-channel TrenchMOS FET
BUK6510-75C N-channel TrenchMOS FET
BUK652R0-30C N-channel TrenchMOS intermediate level FET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BUK625R2-30C,118 功能描述:MOSFET N-CH 30V 90A DPAK RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:* 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
BUK626R2-40C,118 功能描述:MOSFET N-CH 40V 90A DPAK RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:* 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
BUK627-400A 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:N-Channel Enhancement MOSFET
BUK627-400B 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:N-Channel Enhancement MOSFET
BUK627-450B 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:N-Channel Enhancement MOSFET
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