參數(shù)資料
型號(hào)： BUK625R2-30C
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： N-channel TrenchMOS intermediate level FET
中文描述： POWER, FET
封裝： PLASTIC, DPAK, SC-63, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 2/14頁(yè)
文件大?。?/td> 172K
代理商： BUK625R2-30C
BUK625R2-30C
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Product data sheet
Rev. 1 — 12 July 2011
2 of 14
NXP Semiconductors
BUK625R2-30C
N-channel TrenchMOS intermediate level FET
[1]
Continuous current is limited by package.
2.
Pinning information
3.
Ordering information
Avalanche ruggedness
E
DS(AL)S
non-repetitive
drain-source avalanche
energy
I
D
= 90 A; V
sup
≤
30 V;
R
GS
= 50
; V
GS
= 10 V;
T
j(init)
= 25 °C; unclamped
-
-
153
mJ
Dynamic characteristics
Q
GD
gate-drain charge
I
D
= 25 A; V
DS
= 24 V;
V
GS
= 10 V;
see
Figure 13
;
see
Figure 14
-
16.2
-
nC
Table 1.
Symbol
Quick reference data
…continued
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Table 2.
Pin
1
2
3
mb
Pinning information
Symbol
Description
G
gate
D
drain
S
source
D
mounting base; connected to drain
Simplified outline
Graphic symbol
SOT428 (DPAK)
3
2
mb
1
S
D
G
mbb076
Table 3.
Type number
Ordering information
Package
Name
DPAK
Description
plastic single-ended surface-mounted package (DPAK); 3 leads
(one lead cropped)
Version
SOT428
BUK625R2-30C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BUK626R2-40C N-channel TrenchMOS intermediate level FET
BUK6507-55C N-channel TrenchMOS logic and standard level FET
BUK6507-75C N-channel TrenchMOS FET
BUK6510-75C N-channel TrenchMOS FET
BUK652R0-30C N-channel TrenchMOS intermediate level FET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BUK625R2-30C,118 功能描述:MOSFET N-CH 30V 90A DPAK RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:* 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
BUK626R2-40C,118 功能描述:MOSFET N-CH 40V 90A DPAK RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:* 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
BUK627-400A 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:N-Channel Enhancement MOSFET
BUK627-400B 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:N-Channel Enhancement MOSFET
BUK627-450B 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:N-Channel Enhancement MOSFET
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