參數(shù)資料
型號： BUJD203AD
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： NPN power transistor with integrated diode
中文描述： 4 A, 425 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252
封裝： PLASTIC, SC-63, DPAK-3
文件頁數(shù)： 9/15頁
文件大小： 214K
代理商： BUJD203AD
BUJD203AD
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Product data sheet
Rev. 01 — 27 September 2010
9 of 15
NXP Semiconductors
BUJD203AD
NPN power transistor with integrated diode
Fig 15. Test circuit for inductive load switching
Fig 16. Switching times waveforms for inductive load
001aab991
V
CC
L
C
DUT
L
B
I
Bon
V
BB
001aab992
I
C
I
B
90 %
t
off
I
Bon
t
s
t
f
t
t
I
Boff
I
Con
10 %
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PDF描述
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BUJD203AX,127 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 425 V 4 A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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