參數(shù)資料
型號(hào)： BUJD203AD
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： NPN power transistor with integrated diode
中文描述： 4 A, 425 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252
封裝： PLASTIC, SC-63, DPAK-3
文件頁(yè)數(shù)： 4/15頁(yè)
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代理商： BUJD203AD
BUJD203AD
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Product data sheet
Rev. 01 — 27 September 2010
4 of 15
NXP Semiconductors
BUJD203AD
NPN power transistor with integrated diode
1)P
tot
maximum and P
tot
peak maximum lines
2)Second breakdown limits
3) I = Region of permissable DC operation
II = Extension for repetitive pulse operation
III = Extension during turn-on in single transistor converters
provided that R
BE
≤
100
and t
p
≤
0.6
μ
s
Forward bias safe operating area for T
mb
≤
25 °C
Fig 4.
001aac001
10
1
10
2
10
1
10
2
I
C
(A)
10
3
V
CEclamp
(V)
1
10
3
10
2
10
(1)
100
μ
s
200
μ
s
500
μ
s
DC
I
(3)
t
p
= 20
μ
s
duty cycle = 0.01
50
μ
s
II
(3)
III
(3)
(2)
I
CM(max)
I
C(max)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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BUJD203A NPN power transistor with integrated diode
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參數(shù)描述
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BUJD203AX 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR NPN 4A 850V TO220F 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR, NPN, 4A, 850V, TO220F 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR, NPN, 4A, 850V, TO220F; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:425V; Power Dissipation Pd:26W; DC Collector Current:4A; DC Current Gain hFE:21; No. of Pins:3 ;RoHS Compliant: Yes
BUJD203AX,127 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 425 V 4 A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BU-JSB3100L 制造商:Fuji Electric 功能描述:
BUK 9575-100A 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Bulk
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