參數(shù)資料
型號： BUJD105AD
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： NPN power transistor with integrated diode
中文描述： 8 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252
封裝： PLASTIC, SC-63, DPAK-3
文件頁數(shù)： 6/13頁
文件大小： 186K
代理商： BUJD105AD
BUJD105AD
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NXP B.V. 2010. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 02 — 29 July 2010
6 of 13
NXP Semiconductors
BUJD105AD
NPN power transistor with integrated diode
Fig 6.
Collector-emitter saturation voltage as a
function of base current; typical values
Fig 7.
Collector-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values
Fig 8.
Base-emitter saturation voltage as a function of
collector current; typical values
Fig 9.
DC current gain as a function of collector
current; typical values
I
B
(A)
10
2
10
1
10
1
001aab995
0.8
1.2
0.4
1.6
2.0
V
CEsat
(V)
0
I
C
= 1 A
2 A 3 A
4 A
001aac048
0.2
0.4
0.6
V
CEsat
(V)
0
10
1
I
C
(A)
10
1
T
j
= 100
°
C
25
°
C
40
°
C
I
C
(A)
10
1
10
1
001aac047
0.9
0.7
1.1
1.3
V
BEsat
(V)
0.5
T
j
=
40
°
C
25
°
C
100
°
C
001aac045
I
C
(A)
10
2
10
1
10
1
10
10
2
h
FE
1
T
j
= 100
°
C
25
°
C
40
°
C
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