參數(shù)資料
型號： BUJD105AD
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： NPN power transistor with integrated diode
中文描述： 8 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252
封裝： PLASTIC, SC-63, DPAK-3
文件頁數(shù)： 4/13頁
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代理商： BUJD105AD
BUJD105AD
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Product data sheet
Rev. 02 — 29 July 2010
4 of 13
NXP Semiconductors
BUJD105AD
NPN power transistor with integrated diode
5.
Thermal characteristics
Table 5.
Symbol
R
th(j-mb)
Thermal characteristics
Parameter
thermal resistance from
junction to mounting base
thermal resistance from
junction to ambient
Conditions
see
Figure 5
Min
-
Typ
-
Max
1.56
Unit
K/W
R
th(j-a)
printed-circuit-board mounted;
minimum footprint; see
Figure 4
-
75
-
K/W
Fig 4.
Minimum footprint SOT428
Fig 5.
Transient thermal impedance from junction to mounting base as a function of pulse width
001aab021
7.0
7.0
4.57
2.5
2.15
1.5
001aab998
t
p
(s)
10
5
1
10
10
1
10
2
10
4
10
3
1
10
1
10
Z
th(j-mb)
(K/W)
10
2
δ
= 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
t
p
t
p
T
T
P
tot
t
δ
=
0.01
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