參數(shù)資料
型號： BUJD105AD
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： NPN power transistor with integrated diode
中文描述： 8 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252
封裝： PLASTIC, SC-63, DPAK-3
文件頁數(shù)： 3/13頁
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代理商： BUJD105AD
BUJD105AD
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Product data sheet
Rev. 02 — 29 July 2010
3 of 13
NXP Semiconductors
BUJD105AD
NPN power transistor with integrated diode
Fig 1.
Reverse bias safe operating area
Fig 2.
Test circuit for reverse bias safe operating area
Fig 3.
Normalized total power dissipation as a function of mounting base temperature
V
CEclamp
(V)
0
800
600
200
400
001aac049
4
6
2
8
10
I
C
(A)
0
V
BB
=
5 V
3 V
1 V
001aab999
DUT
L
C
L
B
I
Bon
V
BB
V
CC
V
CL(CE)
probe point
T
mb
(
°
C)
0
160
120
40
80
001aab993
40
80
120
P
der
(%)
0
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PDF描述
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BUJD203AD,118 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 425 V 4 A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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