參數(shù)資料
型號： BUJD103AD
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： NPN power transistor with integrated diode
中文描述： 4 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252
封裝： PLASTIC, SC-63, DPAK-3
文件頁數(shù)： 7/13頁
文件大小： 333K
代理商： BUJD103AD
BUJD103AD
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NXP B.V. 2010. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 3 — 3 August 2010
7 of 13
NXP Semiconductors
BUJD103AD
NPN power transistor with integrated diode
Fig 7.
Collector-emitter saturation voltage as a
function of base current; typical values
Fig 8.
Collector-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values
Fig 9.
Base-emitter saturation voltage as a function of
collector current; typical values
Fig 10. DC current gain as a function of collector
current; typical values
I
B
(A)
10
2
10
1
10
1
001aab995
0.8
1.2
0.4
1.6
2.0
V
CEsat
(V)
0
I
C
= 1 A
2 A 3 A
4 A
001aab997
V
CEsat
(V)
I
C
(A)
10
1
10
1
0.2
0.1
0.3
0.4
0.5
0
001aab996
V
BEsat
(V)
I
C
(A)
10
1
10
1
0.6
0.8
0.2
0.4
1.0
1.2
1.4
0
001aab994
I
C
(A)
10
2
10
1
10
1
10
10
2
h
FE
1
V
CE
= 5 V
1 V
T
j
= 25
°
C
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