參數(shù)資料
型號： BUJD103AD
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： NPN power transistor with integrated diode
中文描述： 4 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252
封裝： PLASTIC, SC-63, DPAK-3
文件頁數(shù)： 4/13頁
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代理商： BUJD103AD
BUJD103AD
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Product data sheet
Rev. 3 — 3 August 2010
4 of 13
NXP Semiconductors
BUJD103AD
NPN power transistor with integrated diode
5.
Thermal characteristics
1) P
tot
maximum and P
tot
peak maximum lines
2) Second breakdown limits
3) I = Region of permissable DC operation
II = Extension for repetitive pulse operation
III = Extension during turn-on in single transistor converters
provided that R
BE
≤
100
and t
p
≤
0.6
μ
s
Forward bias safe operating area for T
mb
≤
25 °C
Fig 4.
001aac001
10
1
10
2
10
1
10
2
I
C
(A)
10
3
V
CEclamp
(V)
1
10
3
10
2
10
(1)
100
μ
s
200
μ
s
500
μ
s
DC
I
(3)
t
p
= 20
μ
s
duty cycle = 0.01
50
μ
s
II
(3)
III
(3)
(2)
I
CM(max)
I
C(max)
Table 5.
Symbol
R
th(j-mb)
Thermal characteristics
Parameter
thermal resistance
from junction to
mounting base
thermal resistance
from junction to
ambient
Conditions
see
Figure 6
Min
-
Typ
-
Max
1.56
Unit
K/W
R
th(j-a)
printed-circuit-board mounted; minimum
footprint; see
Figure 5
-
75
-
K/W
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BUJD105AD NPN power transistor with integrated diode
BUJD203AD NPN power transistor with integrated diode
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BUJD203A NPN power transistor with integrated diode
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參數(shù)描述
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