參數(shù)資料
型號： BUJ302A
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： 功率晶體管
英文描述： NPN power transistor
封裝： BUJ302A<SOT78 (TO-220AB)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT78.html<1<,;
文件頁數(shù)： 7/13頁
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代理商： BUJ302A
BUJ302A
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NXP B.V. 2011. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 02 — 28 March 2011
7 of 13
NXP Semiconductors
BUJ302A
NPN power transistor
Fig 8.
Collector-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values
Fig 9.
Collector current as a function of
collector-emitter voltage; typical values
Fig 10. Base-emitter saturation voltage as a function of
collector current; typical values
Fig 11. DC current gain as a function of collector
current; typical values
I
C
(A)
10
-2
10
1
10
-1
003aaf994
1
10
-1
10
V
CEsat
(V)
10
-2
T
j
= 25 °C
T
j
= 125 °C
V
CE
(V)
0
10
8
4
6
2
003aaf996
2
4
6
I
C
(A)
0
I
B
= 0.2 A
0.4 A
0.6 A
0.8 A
1.0 A
1.2 A
1.4 A
I
C
(A)
10
-2
10
1
10
-1
003aaf993
0.6
0.8
0.4
1.0
1.2
V
BEsat
(V)
0.2
T
j
= 25 °C
T
j
= 125 °C
003aaf992
I
C
(A)
10
-2
10
1
10
-1
10
10
2
h
FE
1
V
CE
= 5 V
T
j
= 25 °C
T
j
= 125 °C
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