參數資料
型號： BUJ302A
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： 功率晶體管
英文描述： NPN power transistor
封裝： BUJ302A<SOT78 (TO-220AB)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT78.html<1<,;
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代理商： BUJ302A
BUJ302A
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Product data sheet
Rev. 02 — 28 March 2011
4 of 13
NXP Semiconductors
BUJ302A
NPN power transistor
1)Ptot maximum and Ptot peak maximum lines
2)Second breakdown limits
3) I = Region of permissable DC operation
II = Extension for repetitive pulse operation
III = Extension during turn-on in single transistor converters
provided that RBE
≤
100
and tp
≤
0.6
μ
s
Fig 4.
Forward bias safe operating area for Tmb
≤
25 °C
001aac001
10
1
10
2
10
1
10
2
I
C
(A)
10
3
V
CEclamp
(V)
1
10
3
10
2
10
(1)
100
μ
s
200
μ
s
500
μ
s
DC
I
(3)
t
p
= 20
μ
s
duty cycle = 0.01
50
μ
s
II
(3)
III
(3)
(2)
I
CM(max)
I
C(max)
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PDF描述
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BUJ302AX,127 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 400 V 4 A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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